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IDT与EPC公司携手合作结合氮化镓与硅技术以开发出更快速及高效的半导体器件
Posted 2015年5月22日
Graphic: Business Wire
Integrated Device Technology, Inc. ((IDT®) (美国纳斯达克上市代号: IDTI)宣布与宜普电源转换公司（EPC）合作开发基于氮化镓（GaN）技术的全新方案。氮化镓被公认为在速度及效率方面极具优势的一种半导体材料。这合作谋求探索结合两家公司的技术——EPC的eGaN®技术及IDT领先业界的解决方案。
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