氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）之前在松散耦合式无线电源传送解决方案中，展示了在采用零电压开关(ZVS)D类或E类放大器拓扑并工作在on-resonance条件下，该些晶体管具有较高的效率。然而，可行的无线电源系统需要满足这些系统的易用性的要求，结果是反射式线圈阻抗在负载和耦合变化时显著偏离谐振。由于这些系统仍然需要向负载供电，因此放大器需要在宽阻抗范围内驱动线圈。诸如A4WP第三等级的规范定义了可以满足易用性因素、宽泛的线圈阻抗范围，并且可以用作比较放大器的性能的起点。

本章根据A4WP第三等级的标准对ZVS D类及E类放大器拓扑在6.78MHz频率下进行测试并通过缩小了的阻抗范围来判断固有的工作范围极限。诸如器件的温度和电压极限等因素将确定每个放大器能够驱动线圈的负载阻抗范围。

Bodos China
宜普电源转换公司应用工程执行总监Michael de Rooij博士
2015年6月
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