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Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驱动器亮相
Posted 2016年7月12日
基于氮化镓材料的场效应晶体管正在颠覆功率转换市场和替代硅基MOSFET。 与MOSFET相比，更快速的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）可以在最细小的体积内实现更高的开关速度。 氮化镓器件的承诺是可以大大缩减电源供应器的体积及重量。为了实现最高的潜在性能， 这些具备高性能的氮化镓晶体管需要最优化的栅极驱动器。
Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
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