宜普电源转换公司将于国际著名功率电子与应用研讨会（APEC^®2017）展示超过25多种基于卓越氮化镓技术的演示电路，以及它如何改变了我们的生活方式。我们的技术专家将以GaN^® FET和集成电路技术为主题，举行合共七场技术演讲。

宜普电源转换公司的团队将于2017年3月26日至30日在美国佛罗里达州Tampa举行的APEC 2017研讨会，举行以氮化镓（GaN）技术及应用为主题的七场演讲。此外，EPC将展示最新的eGaN FET及集成电路，以及分享客户采用eGaN技术的最终产品。

宜普公司的展位是#530。演示包括桌面的高功率共振式无线充电解决方案，可替多种设备充电，包括手机、笔记本电脑、显示器及桌灯。 此外，无刷DC马达驱动器、应用于自动驾驶汽车的一系列感应器并提供3D实时LiDAR成像、货车用高强度LED车灯，以及与最优的硅基MOSFET相比，最新的100/200 V eGaN FETs的性能如何更优越。这些最新的eGaN FET的尺寸减半而性能却高出3倍。这种良性循环--尺寸更小、成本更低、性能更高--使得eGaN FET及集成电路与日益老化的功率MOSFET的绩效差距继续扩大。

APEC国际研讨会专注功率电子的实际应用。该研讨会备受推荐，主要关注功率电子元件及设备的使用、设计、制造及推广，大受业界功率专家的欢迎。详情请浏览APEC官网，网址为 http://www.apec-conf.org/。

宜普公司的技术专家将在APEC研讨会举行关于eGaN FET及IC技术演讲的详情如下

• 「利用氮化镓（GaN）晶体管实现高效电源转换」
  讲者：Alex Lidow
  时间：3月29日星期三(上午11:15-11:45 Exhibitor Session Room 13)
• 「对防止增强型氮化镓晶体管的栅极驱动器出现过压的方法进行评估」
  讲者：David Reusch及Michael de Rooij
  时间：3月29日星期三(下午2:00-5:30 Session T17)
• 「再次评估基于高性能氮化镓晶体管的48 Vin 服务器架构」
  讲者：David Reusch
  时间：3月29日星期三(下午2:00-5:30 Session IS10)
• 「氮化镓技术使得摩尔定律复活」
  讲者：Alex Lidow
  时间：3月29日星期三(下午2:00-5:30 Session IS09)
• 「eGaN FET及硅MOSFET的死区功耗–没有反向恢复如何降低您的设计的功耗？」
  讲者：John Glaser
  时间：3月30日星期四(上午8:30-11:30 Session IS13)
• 「eGaN FET及集成电路被评估具备更高可靠性，准备进军主流市场」
  讲者：Chris Jakubiec
  时间：3月30日星期四(上午8:30-11:30 Session IS13)
• 「面向无线电源应用并采用eGaN FET及eGaN栅极驱动器集成电路的E类放大器」
  讲者：Yuanzhe Zhang
  时间：3月30日星期四(下午2:00-5:30 Session IS19)

如果参加是次研讨会的朋友希望在EPC展台或专为客户而设的会议地点与EPC公司的应用专家会面，请在此网页提交表格：/epc/Contact/RequestMeeting.aspx如果参加是次研讨会的朋友希望在EPC展台或专为客户而设的会议地点与EPC公司的应用专家会面，请在此网页提交表格：

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、功率逆变器、 光学遥感技术（LiDAR） 及 D类音频放大器 等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。详情请浏览我们的网站，网址为www.epc-co.com.cn 。

商标

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])