客户可以在我们的网页 注册 ，定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料，你可浏览以下的文档。
eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out Part 3: Power over Ethernet
Posted 2011年2月28日
eGaN FET是以太网供电(PoE)应用中可行且高效方案，用以替代标准MOSFET解决方案。这些FET支持更高的工作频率，因而可以减小转换器体积和成本。我们搭建了13W和26W内含eGaN FET以太网供电转换器，并与标准MOSFET设计进行了逐项评估。不管在那种情况下，eGaN FET转换器都具有比MOSFET转换器更高的效率，因而具有降低系统成本的巨大潜力。
By Johan Strydom, Ph.D., Vice President of Applications, EPC
Michael de Rooij, Ph.D., Director of Applications, EPC
March 1, 2011
Read the article