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增强型氮化镓场效应晶体管如何发挥其超卓效能？
Posted 2012年2月6日
研讨会：在2012年2月9日举行的电力电子应用技术研讨会（APEC）
主讲者：Alex Lidow博士
内容：Lidow博士是电源转换公司首席执行官，为這家公司的共同创辦人及现 有HEXFET功率 MOSFET 技术的共同发明者之一。Lidow博士将在这个研讨 会与工程师分享增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)如何在体积及性能方面比硅功率MOSFET卓越很多。