EPC2007采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装，以增强其高频开关性能。
宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）系列中的最新成员——EPC2007。EPC2007具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。
EPC2007 FET是一款面积为1.87平方毫米的100VDS及6V器件，当栅极电压为6V 时，RDS(ON)最大值是30mΩ。与前代EPC1007器件相比，新一代EPC2007器件具有明显更高的性能优势 – 其性能在更低栅极电压时得到全面增强，并且具有更好的抗快速开关瞬变性能。
与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比，EPC2007体积小很多，而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括硬开关和高频电路，例如隔离DC/DC电源、负载点转换器及D类音频放大器。
“我们最新推出的EPC2007产品进一步扩大业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围。与硅基MOSFET相比，电源设计工程师可利用EPC2007提高电源转换系统效率及缩小系统尺寸。” 共同创始人兼首席执行官Alex Lidow表示。
EPC2007在一千批量时其单价为1.31美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en 。
技术支持
EPC2007 eGaN FET 应用手册详细列明其增强了的性能，网址为 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf
表1：EPC2007指标额定值总结
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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