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加快eGaN 发展，EPC称硅FET已走到尽头

Posted 2012年4月9日

eGaN® FET 的高性能正在更快地被DC/DC 电源转换、负载点转换器、D类音频放大器及高频电路等应用采用，而TI推出业界首款100V半桥GaN FET驱动器（LM5113），经过优化，配合氮化镓场效应晶体管使用，则更进一步推动eGaN FET在高性能电信、网络以及数据通信中心的应用。

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