专用驱动器可发挥出增强型GaN FET的最佳性能 2011年6月28日13:38 发布

Posted 2011年6月28日

众所周知，宜普电源转换公司(EPC)推出商用化增强型硅基氮化镓场效应晶体管(宜普称之为eGaN FET)产品已经超过一年多时间了。目前宜普公司正在与合作伙伴一起实现eGaN FET的专用驱动器，使其可以工作在更高电压、更低栅极电荷条件下，仍具更低的RDS(ON)，以及没有反向恢复损耗(QRR)——所有这些特性都在比硅产品更小的裸片面积上实现。相比硅MOSFET，eGaN FET实际上可以显著提升品质因数(FOM)。

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011