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氮化镓场效应晶体管的安全工作区域

Posted 2012年9月4日

杂志：Bodo's Power Systems
作者：宜普公司产品质量及可靠性总监马艳萍博士

摘要：
本文讨论了相比功率MOSFET器件，氮化镓场效应晶体管具有高电子密度和非常低的温度系数，使它能够在目前的高性能应用中具明显的优势。电子密度产生优异的RDS(ON)，而正温度系数防止在芯片内产生发热点，致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。