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GaN 晶体管启程商用之路
Posted 2010年12月31日
自2004年GaN HEMT(高电迁移 率晶体管)问世以来，基于GaN材料 的新技术不断涌现，但由于成本偏 高和耗尽型 作的不方便，GaN晶体 管市场接受度一直受限，不过这一 局面有望得到改观。美国宜普公司 最近推出首款增强型硅基GaN功率晶 体管(简称eGaN FET)，可专门用于 替代MOSFET，而且使用标准硅制 造技术和设备，可以低成本大批量 生产。
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