EPC2018 氮化镓功率晶体管于直流-直流功率转换及D类音频放大器的应用发挥卓越性能及实现高频开关
宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的最新成员- EPC2018。
EPC2018 晶体管为5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件，其最大RDS(on)为25 mΩ，在栅极电压为 5 V。它可以实现更高性能，因为它具备超高开关频率、非常低的RDS(on)、超低QG以及具备超小型封装占板面积。
与先进硅功率MOSFET器件相比，虽然导通电阻相同，EPC2018 器件具备超小型封装占板面积及在开关性能方面比硅功率MOSFET器件高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器及许多需要纳秒开关速度的电路等应用。
宜普公司创办人及首席执行官Alex Lidow 称“EPC2018 器件进一步替我们氮化镓场效应晶体管系列产品开拓新天地。在功率转换应用中，它提供低电阻、低输出电容、快速开关及因器件没有反向恢复而可减少开关损耗。在D类音频放大器应用中，它则可以提高效率及改善音质。”
IEPC2018器件在一千批量时的单价为6.54美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为 Digi-Key Corporation
关于氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的设计资料及技术支持的资料
表一：EPC2018 Specification Ratings总览
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括直流-直流转换器 、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、遥距感测技术（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com.cn 。
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商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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