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高频功率转换器件的封装的考虑因素
Posted 2013年11月1日
在开关频率10 MHz或以上，电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件，由于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）提供无可匹敌的器件性能及封装，因此可以在高频时提高电源转换效率。
Bodo’s Power Systems
客席编辑： Alex Lidow
2013年11月