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WiGaN: eGaN FETs in Wide Load Range High Efficiency Wireless Power

Practical wireless power systems need to address the convenience factor of such systems. Standards such as the A4WP Class 3 have defined a broad coil impedance range that address the convenience factor and can be used as a starting point to compare the performance of the amplifiers. In this installment of WiGaN both the ZVS Class-D and Class-E amplifiers will be tested at 6.78 MHz to the A4WP Class 3 standard.

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宜普电源转换公司(EPC)推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 可推动28V转1 V负载点转换器在14 A输出电流时实现超过87%效率

EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率,以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时,与分立式解决方案相比,晶体管的占板面积减少50%。

宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙,使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101 最理想的应用领域是高频直流-直流转换。

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如何测量世界上速度最快的电源开关

氮化镓(GaN)场效应晶体管随时准备在电压调节器及直流-直流电源应用替代硅功率器件。 与硅MOSFET器件相比,氮化镓晶体管的开关速度快很多及具有更低的导通电阻(RDS(on)),从而可以实现具有更高功效的功率电源,对我们来说是好的。如果你正在使用氮化镓器件设计功率电路,你必需理解器件的开关速度。

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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥器件 可推动48V转12 V转换器系统在20 A输出电流时实现超过97%效率

EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率,以及推动48 V转至1 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。

宜普电源转换公司宣布推出80 V增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2105)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙、提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 V直接转至1 V系统负载的高效单级转换的应用。

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