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增强型氮化镓场效应晶体管如何发挥其超卓效能?

研讨会:在2012年2月9日举行的电力电子应用技术研讨会(APEC)

主讲者:Alex Lidow博士

内容:Lidow博士是电源转换公司首席执行官,为這家公司的共同创辦人及现 有HEXFET功率 MOSFET 技术的共同发明者之一。Lidow博士将在这个研讨 会与工程师分享增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)如何在体积及性能方面比硅功率MOSFET卓越很多。

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全新栅极驱动器延伸德州仪器用以驱动氮化镓场效应晶体管的集成电路产品系列

德州仪器公司发布了一个全新应用于高密度电源转换器、专门驱动MOSFET及氮化镓场效应晶体管的低侧栅极驱动器(LM5114)。 这个驱动器适用于低侧应用,包括同步整流器及经过功率因数较正的转换器。加上在2011年推出的业界第一个100V半桥氮化镓场效应晶体管驱动器(LM5113),这个产品系列提供了完整的隔离DC/DC电源转换驱动器解决方案,专门驱动应用于高效电信、网络及数据中心的具大功率输出特性之氮化镓场效应晶体管及MOSFET。请浏览www.ti.com/gan 以取得详情、样片及评估板的资料。

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宜普电源转换公司出版了业界第一本以氮化镓晶体管的应用为主题的教科书

这本由业界专家撰写的“应用于高效电源转换系统的氮化镓晶体管”教科书,提供氮化镓晶体管的科技理论和应用教材。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com )宣布出版了旨在为电源系统设计工程师提供基本技术和应用资料,以怎样利用基于氮化镓的晶体管,设计出更高效的电源转换系统。

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