客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。
宜普公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow 将与工程师分享专为工作在10 MHz频率范围而设的全新增强型氮化镓(eGaN®)高电子迁移率晶体管系列,由于这些晶体管在经过辐射照射后仍然具高可靠性,因此它们是高可靠性应用的理想器件。
硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将在四月三日于美国南卡羅來納州的Charleston市举行的第39届GOMACTech年度研讨会演讲。
阅读全文
Electronic Design杂志编辑Don Tuite访问Alex Lidow,内容涵盖EPC公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的最新及新颖应用。
Electronic Design杂志
2014年3月
观看视频
阅读全文
EPC公司Michael de Rooij与Power Systems Design 杂志编辑Alix Paultre分享无线电源传送解决方案。
Power Systems Design杂志
2014年3月
观看视频
阅读全文
宜普公司专家将于三个业界技术研讨会演讲:第十三届慕尼黑上海电子展 - 国际电力电子创新论坛、IIC电子工程盛会 - 2014年春季论坛及台湾宽能隙电力电子研发联盟举办的宽能隙电力电子国际研讨会。
硅基增强型功率氮化镓(eGaN®)功率晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于亚太区业界技术研讨会进行三场技术演讲。
阅读全文
由于德国航空太空中心的机械人及机械电子研究院(Robotics and Mechatronics Institute )对改善传感器及功率电子的兴趣很大,我们利用开发全新机械人的机会来评估宜普电源转换公司(EPC)的全新增强型氮化镓场效应晶体管技术并与我们目前最优秀的逆变器设计进行比较。
杂志 :Bodo’s Power Systems
作者:德国航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期:2014年3月
阅读全文