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宜普电源转换公司推出专为缩短工程师的学习曲线而设的“如何使用氮化镓器件”教程系列的视频播客

宜普公司推出由业界专家制作合共十一个教程单元的视频播客,帮助工程师了解并探索氮化镓功率晶体管的理论、基本设计及实际应用。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)推出合共十一个教程单元的网络视频播客,专为功率系统设计工程师而设,提供基于技术及应用的工具,让工程师学习如何使用基于氮化镓的晶体管设计出更高效电源转换系统。

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宜普电源转换公司推出专为大电流及具高降压比转换器应用而设的开发板

EPC9016开发板内含40 V增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),是一种25 A最大输出电流并采用并联配置的电路设计,可提高电流能力达67%,其最优版图技术可实现最优化效率。

宜普电源转换公司宣布推出EPC9016采用半桥式配置的开发板,专为采用氮化镓场效应晶体管的大电流、高降压比、降压中间总线转换器(IBC)应用而设。与采用单一高侧(控制)场效应晶体管相比,我们并联了两个低侧(同步整流器)场效应晶体管使得传导时间更长。

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How To GaN: Paralleling High Speed eGaN FETS for High Current Applications

This column evaluated the ability to parallel eGaN® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

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