Exploring gallium nitride technology Posted 2013年5月21日 杂志:EE Times Asia 日期:2013年5月16日 作为替代MOSFET器件的氮化镓(GaN)功率器件在商用直流-直流电源转换的应用已发展了三年,随着氮化镓器件暂露头角,加上以前使用MOSFET的场效应晶体管而不能实现的应用也可以使用氮化镓器件来实现,对于氮化镓功率器件的开发者来说,以前想不到及还没有开发的全新应用将提供大有可为的发展机遇。 http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM 阅读全文
关于碳化硅及氮化镓功率器件的业界评论 Posted 2013年5月16日 作者:Andy Extance及Power Dev’ 日期:2013年4月 宜普电源转换、飞兆半导体、GeneSiC半导体、罗姆半导体及Transphorm等公司与Andy Extance及Power Dev'谈论如何把模块及系统制造商转向关注宽带隙器件。 http://www.bluetoad.com/publication/?i=157700&p=6 阅读全文