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宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

eGaN®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能,从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

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IDT与EPC公司携手合作结合氮化镓与硅技术以开发出更快速及高效的半导体器件

IDT与EPC公司携手合作结合氮化镓与硅技术以开发出更快速及高效的半导体器件

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT®) (美国纳斯达克上市代号: IDTI)宣布与宜普电源转换公司(EPC)合作开发基于氮化镓(GaN)技术的全新方案。氮化镓被公认为在速度及效率方面极具优势的一种半导体材料。这合作谋求探索结合两家公司的技术——EPC的eGaN®技术及IDT领先业界的解决方案。

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宜普电源转换公司扩大具有宽间距、以小尺寸实现大电流承载能力的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列

宜普电源转换公司扩大具有宽间距、以小尺寸实现大电流承载能力的氮化镓场效应晶体管(eGaN  FET)系列

宜普电源转换公司(EPC)推出采用高性能、宽间距的芯片规模封装的全新氮化镓(eGaN®)功率晶体管,进一步扩大其功率晶体管系列、易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。这些产品采用具有1 mm间距的焊球,进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔,使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)实现大电流承载能力。

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Gallium Nitride Power Transistors Priced Cheaper Than Silicon

Gallium Nitride Power Transistors Priced Cheaper Than Silicon

Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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