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由于基于氮化镓的功率器件拥有庞大市场潜力,因此吸引更多全新供应商生产该器件,致使制造商的数量正稳步增加。
网上杂志:How2Power
日期:2013年6月
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封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。
杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月
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在EEWeb Pulse 访问里,宜普公司首席执行官Alex Lidow讨论如何推动氮化镓器件的广泛应用。
EEWeb Pulse
日期:2013年6月
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领导增强型氮化镓晶体管发展的宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow首次在EEWeb.com撰写全新专栏,每月与设计工程师讨论硅基氮化镓功率器件可以 替代旧有功率MOSFET器件。
EEWeb.com
作者:Alex Lidow
日期:2013年6月
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虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件,但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。
作者:宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller
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