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在器件通过数百万个器件-小时严谨的应力测试后,宜普电源转换公司(EPC)发布可靠性测试报告以记录氮化镓(GaN)技术的可靠性

在器件通过数百万个器件-小时严谨的应力测试后,宜普电源转换公司(EPC)发布可靠性测试报告以记录氮化镓(GaN)技术的可靠性

宜普电源转换公司(EPC)发布第八阶段可靠性测试报告第八阶段可靠性测试报告。该报告表明,在累计超过800万个器件-小时的应力测试后,没有器件发生失效的情况。该报告详细探讨EPC器件在被确认为合格产品前所经受的各项应力测试,并且分析器件失效的物理原因。

宜普电源转换公司宜普电源转换公司的第八阶段可靠性测试报告证明氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路在被确认为合格产品前,经受各种非常严谨并符合JEDEC认证标准的应力测试。

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Efficient Power Conversion (EPC) Announces Ismosys as Sales, Marketing, and Technical Support Partner for Europe

Efficient Power Conversion (EPC) Announces Ismosys as Sales, Marketing, and Technical Support Partner for Europe

Ismosys now represents EPC’s European sales, marketing, and technical support to assist customers in adopting eGaN® FETs and ICs for leading-edge power conversion systems using gallium nitride

EL SEGUNDO, Calif.—July 2016 — To support its accelerating growth throughout Europe, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce the appointment of Ismosys as its sales, marketing, and technical support representative.  Ismosys, founded in 1994, provides support to design houses, designers and engineers across Europe. This is achieved through 10 regional offices covering the entire EMEA and a significant centralized resource, fostering sales, driving marketing and enabling technical support. 

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PSDcast - EPC公司的Alex Lidow分享氮化镓(GaN)的发展趋势

PSDcast - EPC公司的Alex Lidow分享氮化镓(GaN)的发展趋势

宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow在本PSDcast中与Power Systems Design 的Alix Paultre分享氮化镓技术的发展趋势。目前业界终于从多个制造商出发,开发出氮化镓技术可以实现的各种解决方案,让我们看到实际的design-in项目及基于氮化镓功率器件的产品的出现。

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Power Systems Design
2016年7月21日

投影片:反思后硅世界中的服务器电源架构

投影片:反思后硅世界中的服务器电源架构

在本投影片,EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何带领业界采用氮化镓(GaN)技术,实现革命性的突破。

由于氮化镓器件比硅器件高效,因此使得数据中心节省大量能源,并且极具潜力可以推动计算机产业超越摩尔定律。

insideHPC
2016年7月20日
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EPC与ASD公司建立增值合作伙伴关系,加速基于氮化镓技术的无线电源解决方案的上市进程

EPC与ASD公司建立增值合作伙伴关系,加速基于氮化镓技术的无线电源解决方案的上市进程

EPC与ASD公司启动增值合作伙伴计划,携手为客户共创美好未来,支持客户利用基于eGaN®技术,从概念开发到产品制造,共同开发出全新的无线充电应用及其它的新兴应用。

总部位于美国洛杉矶市、开发替代MOSFET技术的氮化镓(eGaN)技术的宜普电源转换公司(EPC) 与总部位于香港的创徽科技有限公司(ASD)宣布携手合作,共创新里程,针对客户的目标应用,利用最新的eGaN技术为客户提供最佳的解决方案。

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Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驱动器亮相

Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驱动器亮相

基于氮化镓材料的场效应晶体管正在颠覆功率转换市场和替代硅基MOSFET。 与MOSFET相比,更快速的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)可以在最细小的体积内实现更高的开关速度。 氮化镓器件的承诺是可以大大缩减电源供应器的体积及重量。为了实现最高的潜在性能, 这些具备高性能的氮化镓晶体管需要最优化的栅极驱动器。

Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
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博客(3):eGaN技术的可靠性及器件失效的物理原因

博客(3):eGaN技术的可靠性及器件失效的物理原因

在本系列的第一及第二章,我们详细讲解了关于EPC的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路(IC)的现场可靠性报告。具备优越的现场可靠性的eGaN器件展示出通过基于应力的认证测试可确保客户的应用也可以非常可靠。本章将阐释EPC器件在认证之前被置于及通过的各种应力测试。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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硅器件的竞争对手悄悄走进面向Apple、Google及Tesla的半导体市场

硅器件的竞争对手悄悄走进面向Apple、Google及Tesla的半导体市场

人们用硅材料命名了“硅谷”,而硅材料现正面对全新并具有潜力的竞争对手 – 氮化镓(GaN)材料。有说氮化镓器件可以取得300亿美元的半导体电源供应产业的市场份额。这个市场涵盖了所有利用墙上的电源插座取得电源的产品—从Apple(AAPL)的iPhone充电器,以至Tesla(TSLA)的豪华电动汽车。

Investor's Business Daily
Allison Gatlin
2016年7月
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