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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,专为使用增强型氮化镓(eGaN)FET的系统而设

EPC9005开发板可帮助设计工程师快速开发基于40V EPC2014的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

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GaN and SiC: on track for speed and efficiency

Wide-bandgap materials, such as GaN and SiC, are enabling a new generation of power switching devices that switch faster and with fewer losses than the venerable silicon MOSFET, resulting in smaller, more efficient power supplies.

By Margery Conner
EDN
August 25, 2011

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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN) 场效应晶体管产品系列范围

2011年8月23日星期二

宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围

EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装,以增强其高频开关性能。

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宜普电源转换公司(EPC)推出第二代200V及100mΩ功率晶体管,进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN) 场效应晶体管产品系列领域

EPC2012采用符合RoHS(有害物质限制)条例的无铅封装,以增强其高频开关性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。

EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件,RDS(ON)最大值是100mΩ,栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强,而且由于提高了QGD/QGS比率,EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。

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宜普电源转换公司宣布推出全新开发板,帮助使用增强型氮化镓(eGaN)FET 用户快速开发电源转换电路和系统

EPC9004开发板可帮助设计工程师快速开发基于200V EPC2012的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板,并备有完善归档的技术支持资料。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品,其应用范围广泛,如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。

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