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宜普电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布EPC9102荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖 。

EPC9102 是一个全功能八分之一砖式转换器演示板。这块电路板是一个36 V-60 V 输入、12 V输出、375 KHz相移全桥式(PSFB)八分之一砖式转换器,最大输出电流为17A。EPC9102演示板展示了基于氮化镓场效应晶体管的直流-直流转换器可帮助工程师在业界基准砖式转换器的外形尺寸限制下提高输出功率及功率密度,

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氮化镓场效应晶体管的安全工作区域

杂志:Bodo's Power Systems
作者:宜普公司产品质量及可靠性总监马艳萍博士

摘要:
本文讨论了相比功率MOSFET器件,氮化镓场效应晶体管具有高电子密度和非常低的温度系数,使它能够在目前的高性能应用中具明显的优势。电子密度产生优异的RDS(ON),而正温度系数防止在芯片内产生发热点,致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。

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宜普电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在安全工作区域具备优异性能

氮化镓场效应晶体管具有正温度系数, 因而在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下,它具有更卓越的性能而能够解决硅MOSFET器件在性能上的限制。

宜普公司将发布所有氮化镓场效应晶体管在安全工作区域的数据。该器件具有正温度系数, 因而在安全工作区域范围内只有一个小区域受限于器件的平均温度。

安全工作区域的数据可以显示器件在具阻抗的结点的散热能力,其散热能力越高,器件越具更低的热阻,并使器件在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下,具有更卓越的性能而不会发生故障。

与功率MOSFET相比,宜普的氮化镓场效应晶体管在目前的高效应用中具有更卓越的优势,它具有优异的RDS(ON)阻抗值及正温度系数,防止在芯片内产生发热点,致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。

宜普的氮化镓场效应晶体管的安全工作区域的应用手册刊载于: http://epc-co.com/epc/documents/product-training/SafeOperatingArea.pdf 。 此外,宜普公司将更新产品的数据表,包括列明每一个器件在安全工作区域内的性能的曲线图。

请浏览宜普其它产品的应用及设计资讯:

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、以太网供电、太阳能微型逆变器、能效照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

客户在Twitter的网址 http://twitter.com/#!/EPC_CORP  可以找到EPC,也可以在我们的网页 http://bit.ly/EPCupdates 注册定期收取EPC最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼第十部分:应用于高频谐振转换器

作者:宜普公司应用总监David Reusch 博士
杂志:Power Electronics Technology

在过去的章节中,我们讨论了氮化镓场效应晶体管于硬开关、隔离及非隔离型转换器应用中所具的优势。 在第九部分,我们将展示氮化镓器件在软开关的应用中,相比目前的功率MOSFET器件,它可以改善效率及输出功率密度。

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