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Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.
EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.
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EPC2018 氮化镓功率晶体管于直流-直流功率转换及D类音频放大器的应用发挥卓越性能及实现高频开关
宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的最新成员- EPC2018。
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在高频降压转换器配备最优的版图,使得在1MHz 频率下开关时器件可实现96%以上的效率。
EEWeb
日期:2013年9月
作者:Alex Lidow
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