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Panasonic breathes new life into Technics – features GaN for high speed switching

Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.

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Profiles in Design: Alex Lidow, Ph.D.

DesignCon 2015’s Thursday (January 29th) keynote speaker will be Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion Corporation (EPC). For most of his career, Alex has focused on improving the efficiency of power conversion in hopes of reducing the environmental impact of energy production and consumption. As an R&D engineer at International Rectifier, he co-invented the HEXFET power MOSFET. The patents from this invention brought in more than $900M. Alex holds numerous additional patents in power semiconductor technology, including basic patents in power MOSFETs as well as in GaN FETs. He recently co-authored the first textbook on GaN transistors, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”. You can catch Alex’s keynote speech at DesignCon 2015 on Thursday, January 29, 12:00 PM – 12:30 PM.

EDN
December 3, 2014
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WiGaN: eGaN FETs in Wide Load Range High Efficiency Wireless Power

Practical wireless power systems need to address the convenience factor of such systems. Standards such as the A4WP Class 3 have defined a broad coil impedance range that address the convenience factor and can be used as a starting point to compare the performance of the amplifiers. In this installment of WiGaN both the ZVS Class-D and Class-E amplifiers will be tested at 6.78 MHz to the A4WP Class 3 standard.

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宜普电源转换公司(EPC)推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 可推动28V转1 V负载点转换器在14 A输出电流时实现超过87%效率

EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率,以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时,与分立式解决方案相比,晶体管的占板面积减少50%。

宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙,使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101 最理想的应用领域是高频直流-直流转换。

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如何测量世界上速度最快的电源开关

氮化镓(GaN)场效应晶体管随时准备在电压调节器及直流-直流电源应用替代硅功率器件。 与硅MOSFET器件相比,氮化镓晶体管的开关速度快很多及具有更低的导通电阻(RDS(on)),从而可以实现具有更高功效的功率电源,对我们来说是好的。如果你正在使用氮化镓器件设计功率电路,你必需理解器件的开关速度。

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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥器件 可推动48V转12 V转换器系统在20 A输出电流时实现超过97%效率

EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率,以及推动48 V转至1 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。

宜普电源转换公司宣布推出80 V增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2105)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙、提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 V直接转至1 V系统负载的高效单级转换的应用。

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宜普电源转换公司(EPC)推出专为电信、工业及医疗应用而设、具宽泛的输入电压范围、20 A输出电流并基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板

宜普电源转换公司(EPC)推出专为电信、工业及医疗应用而设、具宽泛的输入电压范围、20 A输出电流并基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板

EPC9118演示板展示采用具高频开关优势、电源电压在48 V或以上的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)可易于实现更小型及具更高效率的电源转换解决方案。

宜普电源转换公司推出全功能降压型功率转换演示电路-- EPC9118演示板,可支持30 V至60 V输入电压并转至5 V、 具20 A最高输出电流及400 kHz频率的降压转换器。它采用EPC2001 及EPC2015增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(FET)及LTC3891降压控制器。这个降压转换器设计是电信、工业及医疗应用所需的配电解决方案的理想设计。

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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向高频应用的 300 V氮化镓功率晶体管

宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出300 V功率晶体管(EPC2025),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高效率及更高功率密度。受惠于更高开关速度的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗应用的诊断仪器、功率逆变器及照明应用的发光二极管等。

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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管推动 12 V转至1.2 V负载点转换器系统在25 A输出电流下实现超过90%效率

EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率,以及在25 A时效率可高于90.5%。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

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IEEE Power Electronics Society (PELS) Webinar, “Using Gallium Nitride (GaN) FETs for Envelope Tracking Buck Converters”

On September 3rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.

EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).

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WiGaN: 利用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)支持在高频工作的硬开关转换器应用

本章展示在10 MHz频率开关、采用氮化镓场效应晶体管的硬开关降压转换器的结果及提供转换器功耗的细数。此外,我们将展示采用氮化镓场效应晶体管的转换器目前所取得无可匹敌的高频性能及如果要推动器件工作在更高频率时所面对的限制。

EEWeb
作者:Alex Lidow
2014年8月

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EPC: GaN Ambition

Intent on flooding power device markets with GaN-on-silicon FETs, Alex Lidow, EPC, talks to Compound Semiconductor about future market opportunities.

Compound Semiconductor
July, 2014
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Development Boards Make Evaluating eGaN FETs Simple

Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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宜普电源转换公司推出符合A4WP规格并可传送35 W功率及工作在6.78 MHz频率的高效无线电源传送演示套件

由于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)具备卓越性能例如具低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小尺寸,它是高度谐振并符合Rezence 无线充电联盟(A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件,可提高系统的效率。

宜普电源转换公司宣布推出无线电源转换演示套件。该套件备有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三个组件:

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宜普电源转换公司(EPC)的高性能氮化镓功率晶体管 进一步抛离日益陈旧的功率MOSFET并已有现货供应

氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。

宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。

全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板

宜普产品型号 电压 最高导通电阻
RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉冲电流峰值
Peak PulsedID (A) (25°C,
Tpulse = 300 µs)
TJ (°C) 半桥开发板
          标准 低占空比
EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 550 150 EPC9032  
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