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作者：宜普公司应用总监David Reusch 博士
杂志：Power Electronics Technology
在过去的章节中，我们讨论了氮化镓场效应晶体管于硬开关、隔离及非隔离型转换器应用中所具的优势。 在第九部分，我们将展示氮化镓器件在软开关的应用中，相比目前的功率MOSFET器件，它可以改善效率及输出功率密度。
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宜普公司的氮化镓场效应晶体管具卓越开关速度，为具非常高的共振频率的无线电源传送提高功率电子的效率
宜普宣布推出一个高效无线电源展示系统，内含具高频开关性能的氮化镓晶体管。使用宜普的氮化镓场效应晶体管是这种系统的一个理想解决方案，因为它所具备的性能可以在高频、高压及高功率情况下有效率地工作。
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作者：宜普公司首席执行官Alex Lidow博士
日期：在2012年7月2日刊载于Power Pulse.Net网站
大约在2005年Eudyna 与Nitronex首次推出耗尽型射频晶体管时，氮化镓晶体管已经出现。之后有很多新的公司加入引进射频晶体管（如RFMD, Triquint, Cree, 飞思卡尔, Integra, HRL, M/A-COM及其它公司)，以及在电源转换应用为替代功率MOSFET而设计的晶体管（如Transphorm, 国际整流器公司, GaN Systems, microGaN及宜普电源转换公司）。本论文主要在讨论这个热闹的科研现象是代表氮化镓晶体管已经准备好替代功率MOSFET吗？如果是，原因是什么呢？
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作者：宜普公司产品应用副总裁Michael de Rooij博士
日期：在2012年6月27日刊载于Power Electronics Technology 杂志
无线电源产品的应用日益普遍，尤其是应用于通用产品如手机充电器。作为MOSFET技术的替代产品，增强型氮化镓晶体管具备更快开关速度的性能，是无线电源应用的理想器件。这篇文章我们主要讨论实验性的评估一个内含氮化镓场效应晶体管在6.78 MHz时工作的无线充电系统的感应线圈，适合用于多个输出功率为5W的U盘充电负载。
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作者：宜普公司产品应用副总裁Johan Strydom博士
日期：在2012年6月1日刊载于Bodo’s Power Systems杂志
本论文主要在讨论氮化镓晶体管如宜普电源转换公司的eGaN® FET可以提高隔离型八分之一砖式直流-直流转换器的效率。这种电源转换器普遍使用于大型计算机的主机、服务器及通信系统，并具备不同的尺寸、输出功率性能、输入及输出电压范围可供设计工程师考虑。它的模块性、功率密度、可靠性及多功能的特性有助隔离型电源产品的设计。
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EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器的组合所能达到的优异性能。
宜普电源转换公司宣布推出EPC9102演示板，这是一个全功能的八分之一砖转换器演示板。这块电路板就是一个36V-60V输入、12V输出、375kHz相移全桥(PSFB)式八分之一砖转换器，最大输出电流为17A。该演示板内含100V EPC2001 eGaN FET及德州仪器专为驱动eGaN FET而设的半桥栅极驱动器（LM5113）。
LM5113是业界首款能够最佳驱动增强型氮化镓FET、并且能够充分发挥这种FET优势的驱动器。EPC9102演示板展示了当eGaN FET配合德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器，可以实现eGaN FET的高开关频率性能。
这种转换器的结构符合标准八分之一砖的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。尽管这个尺寸比较小，但整个电路板在36V输入电压、10A输出电流条件下，可以达到94.8%的峰值功效。
EPC9102演示电路的设计用于展示使用eGaN FET在375kHz工作时，能够实现得到的尺寸和性能，而设计本身并没有针对最大输出功率进行优化。其工作频率大约比类似商用的八分之一砖DC/DC电源转换器高出50%至100%。
EPC9102演示板的尺寸特别是过大的尺寸，这是方便电源系统设计工程师连接相关的评估平台。演示板上有许多探测点，便于测量简单波形和计算效率。
EPC9102演示板可用在低环境温度和强制空冷条件下的基准评估。随EPC9102演示板一起提供的，还有一份供用户参考和易于使用的快速入门指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf。
EPC9102演示板单价为306.25美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为：http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
EPC eGaN FET 及 德州仪器的LM5113 设计工具指南
eGaN FET 设计信息及支持
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、以太网供电、太阳能微型逆变器、能效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
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商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
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Dr. Reusch will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems
EL SEGUNDO, Calif.—May 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. David Reusch has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.
As a member of the EPC applications team, Dr. Reusch’s focus will be on designing lower loss and higher power density benchmark circuits that demonstrate the benefits of using gallium nitride transistors. His initial focus will be on their use in higher voltage DC-DC converters and resonant, soft-switching converters. Dr. Reusch’s research and experience in these applications will be shared with customers to accelerate their designs using high performance eGaN FETs. His designs will demonstrate GaN transistors’ superior performance over MOSFETs.
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EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) CEO Alex Lidow will speak at the private Credit Suisse investor conference in San Francisco on Tuesday, May 22, at 10:00 a.m. Pacific time. Dr. Lidow will discuss the growing market for gallium nitride transistors with a focus on EPC’s eGaN® FET technology and products. As a displacement technology, GaN FETs can be used in an array of current MOSFET applications in addition to enabling new high volume applications, such as wireless power and envelope tracking, a method for significant energy savings in communication devices.
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作者：宜普公司产品应用副总裁Johan Strydom博士
日期：2012年4月30日刊载于Power Electronics Technology 杂志
在射频功率放大器的包络跟踪不是新技术。但随着社会对电源产业日益增长的需求如增长手机的电池寿命、提高基站的能效及增加高成本的射频传输器的输出功率，通过包络跟踪来提高射频功率放大器系统的效率已经成为科研的一个重要议题。
我们在这篇文章展示了在大功率输出的包络跟踪应用中的降压转换器，如何使用eGaN FET实现功率及效率方面可达到的成效。
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The GaN power device industry has probably generated less than $2.5M revenues in 2011, as only 2 companies (IRF & EPC Corp.) are selling products on the open market. However, the overall GaN activity has seen extra revenues as R&D contracts, qualification tests and sampling for qualified customers was extremely buoyant.
http://www.news10.com/story/17735484/power-gan-2012?clienttype=printable
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EL SEGUNDO, Calif. – April, 2012 - Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that it has been recognized with inclusion in the EE Times Silicon 60 list of 60 Emerging Startups. Companies are selected by the editorial team at EE Times based on a mix of criteria including: technology, intended market, maturity, financial position, investment profile, and executive leadership.
"It is an honor to receive this recognition from EE Times as one of the hottest emerging electronics companies and as EE Times has noted, 'an emerging company worthy of tracking,'" commented Alex Lidow, CEO, Efficient Power Conversion Corporation.
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eGaN® FET 的高性能正在更快地被DC/DC 电源转换、负载点转换器、D类音频放大器及高频电路等应用采用，而TI推出业界首款100V半桥GaN FET驱动器（LM5113），经过优化，配合氮化镓场效应晶体管使用，则更进一步推动eGaN FET在高性能电信、网络以及数据通信中心的应用。
详情请浏览：
电子设计技术（2012年4月书刊
EDN 电子杂志2012年第04期
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Written by Peter Clarke - 3/7/2012 2:20 PM EST
LONDON - The market for power devices implemented in gallium nitride was less than $2.5 million in 2011, according to market research firm Yole Developpement (Lyon, France). However, there is a great deal of R&D activity and Yole sees the power GaN market growing to nearly $0 million in 2012 and $500 million in 2016.
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研讨会：在2012年2月9日举行的电力电子应用技术研讨会（APEC）
主讲者：Alex Lidow博士
内容：Lidow博士是电源转换公司首席执行官，为這家公司的共同创辦人及现 有HEXFET功率 MOSFET 技术的共同发明者之一。Lidow博士将在这个研讨 会与工程师分享增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)如何在体积及性能方面比硅功率MOSFET卓越很多。
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德州仪器公司发布了一个全新应用于高密度电源转换器、专门驱动MOSFET及氮化镓场效应晶体管的低侧栅极驱动器(LM5114)。 这个驱动器适用于低侧应用，包括同步整流器及经过功率因数较正的转换器。加上在2011年推出的业界第一个100V半桥氮化镓场效应晶体管驱动器(LM5113)，这个产品系列提供了完整的隔离DC/DC电源转换驱动器解决方案，专门驱动应用于高效电信、网络及数据中心的具大功率输出特性之氮化镓场效应晶体管及MOSFET。请浏览www.ti.com/gan 以取得详情、样片及评估板的资料。
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这本由业界专家撰写的“应用于高效电源转换系统的氮化镓晶体管”教科书，提供氮化镓晶体管的科技理论和应用教材。
宜普电源转换公司（www.epc-co.com ）宣布出版了旨在为电源系统设计工程师提供基本技术和应用资料，以怎样利用基于氮化镓的晶体管，设计出更高效的电源转换系统。
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1/3/2012
德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖。该著名行业杂志的读者皆为电子设计工程师，经过编辑评审过千于2011年发布的产品，选出于以下各方面表现优胜的产品：创新设计、于技术或应用方面取得重大发展及具成本和性能超卓优势。
德州仪器推出业界首款针对增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的驱动器。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。国半的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。
“我们衷心祝贺德州仪器荣获这个殊荣。LM5113桥式驱动器为设计工程师提供一个确实的plug & play解决方案，加速业界采用eGaN ®FET及其普及化。LM5113释放了eGaN FET的效能优势，帮助设计工程师实现功率及系统密度方面的全新性能基准。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说。
http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx
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Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors.
But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet.
By: Graham Pitcher
New Electronics
December 13, 2011
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EPC9101演示板使用具高频开关优势的eGaN功率晶体管，可减小降压电源转换器尺寸和提高效率
EPC9101是一款全功能的降压电源转换器演示电路，实现8V-19V输入、1.2V电压、18A最大电流输出及1MHz降压转换器，使用的器件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET，并配合德州仪器公司最近推出的国半100V半桥栅极驱动器（LM5113）。LM5113是业界首款专为增强型氮化镓场效应晶体管而设计的驱动器。EPC9101演示高开关频率eGaN FET与这个匹配的驱动器，可减小降压电源转换器尺寸和提高性能。
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宜普公司获得ISO认证其设计、开发、营销和销售氮化镓功率晶体管及功率管理器件
宜普电源转换公司（www.epc-co.com） 是基于节能增强型氮化镓晶体管的功率转换应用的领先供应商，其质量管理系统已经通过国际标准化组织的ISO9001:2008认证。
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