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宽带隙器件建构高效节能绿世界

宽带隙器件建构高效节能绿世界

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)材料为主流的宽带隙(WBG)半导体功率器件,在节能永续意识抬头的今日成为各种功率系统应用的宠儿。2022年Tech Taipei研讨会首度以WBG器件为题,邀请业界重量级业者,从设计、制造、测试等不同面向与现场超过400位听众分享最新技术与应用趋势...

EE Times Taiwan
2022年3月25日
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用于国际通用交流输入、240 W USB PD3.1”全氮化镓”快充参考设计, 实现功率密度基准

用于国际通用交流输入、240 W USB PD3.1”全氮化镓”快充参考设计, 实现功率密度基准

EPC9171 评估板可将90 V~265 V通用交流输入电压转换为可调 15 V至48 V直流输出电压。该参考设计可在 48 V 输出电压和 5 A 负载电流下,提供 240 W 的最大输出功率。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9171,可将90 V~265 V通用交流输入电压转换为15 V ~48 V直流输出电压,专为 USB PD3.1超快速充电器而设计。此参考设计可在 48 V 输出电压和 5 A 负载下,提供 240 W 最大输出功率。在初级侧和次级侧电路采用在高频率下开关的氮化镓功率器件,可实现约 1.1 W/cm3的功率密度。

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Efficient Power Conversion (EPC) Releases Lowest On-Resistance Rad Hard Transistor Available on the Market for Demanding Space Applications

Efficient Power Conversion (EPC) Releases Lowest On-Resistance Rad Hard Transistor Available on the Market for Demanding Space Applications

Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions in critical spaceborne and other high reliability environments with a device that has the lowest on-resistance of any rad hard transistor currently available on the market.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — EPC announces the introduction of the EPC7019 radiation-hardened eGaN FET. The EPC7019, a 40 V, 1.5 mΩ, 530 APulsed, rad-hard eGaN FET in a small 13.9 mm2 footprint. The EPC7019 has a total dose rating greater than 1 Mrad and SEE immunity for LET of 85 MeV/(mg/cm2). These devices are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family.  Packaged versions will be available from EPC Space.

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EPC与ADI公司携手推出 基于氮化镓场效应晶体管、高达2 MHz的开关频率、最高功率密度的DC/DC转换器

EPC与ADI公司携手推出 基于氮化镓场效应晶体管、高达2 MHz的开关频率、最高功率密度的DC/DC转换器

EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN® FET相结合,可实现高达2 MHz的开关频率,从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9160,这是一款双输出同步降压转换器参考设计,开关频率为2 MHz,可将9 V~24 V的输入电压转换为3.3 V或5 V的输出电压,两个输出的连续电流可高达15 A。由于开关频率高,转换器的尺寸非常小,两个输出都只有23 mm x 22 mm和电感器的厚度只有3 mm。

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High Performance 1 kW per Phase 48 V/12 V Converter Using GaN ePower Stage

High Performance 1 kW per Phase 48 V/12 V Converter Using GaN ePower Stage

Automotive 48 V/12 V converters are essential in modern hybrid electric vehicles, as the energy is exchanged between the 48 V and 12 V buses. This two-voltage system accommodates legacy 12 V systems and provides higher power for 48V to loads such as vacuum and water pumps, electric super chargers, steering, and audio systems. Among all the requirements for the 48 V/12 V converter, efficiency, power density, size and cost are on the top of the list. This article addresses these design criteria by employing the GaN ePower™ Stage, EPC23101, and compares it with a previous design using discrete EPC2206 devices.

Bodo’s Power Systems
March, 2022
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功率系统采用GaN的5大误区

功率系统采用GaN的5大误区

我们将在本文讨论客户为何迟迟未采用氮化镓技术的一些最常见原因,氮化镓技术显然是较旧的硅基功率MOSFET的替代技术。在不深入研究详细的统计数据下,按最常发生推导出一系列原因,并理解某些应用比其他应用更侧重氮化镓技术的某些特性。我们的讨论仅限于额定电压低于400 V的器件,因为这是EPC公司的氮化镓场效应晶体管和集成电路的重点应用。

PSD功率系统设计
2022年3月
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EPC在APEC 2022展会上展示GaN技术如何 为48 V应用带来革命性

EPC在APEC 2022展会上展示GaN技术如何 为48 V应用带来革命性

EPC公司的氮化镓专家将在APEC展会分享多项现场演示以阐释氮化镓技术如何为许多行业的功率转换带来革命性突破,包括计算、通信和e-mobility。

宜普电源转换公司(EPC)团队将于3月20日至24日在休斯顿举行的IEEE应用电力电子会议和博览会(APEC 2022)上进行多场关于氮化镓技术的演讲和专业研讨会,详请如下。 此外,我们将在1302号展位展出采用新型eGaN®FET 和 IC的客户的最新产品。

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采用EPC GaN FET以低成本为电动自行车、无人机和机器人提供卓越的电机驱动性能

采用EPC GaN FET以低成本为电动自行车、无人机和机器人提供卓越的电机驱动性能

基于氮化镓器件的EPC9167 逆变器参考设计提高电机系统性能、范围、精度、扭矩且同时降低整体系统成本。 该逆变器尺寸超小,可集成到电机外壳中,从而实现具有最低 EMI、最高功率密度和最轻的电机驱动逆变器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出 EPC9167,这是一款采用 EPC2065 eGaN® FET 的三相 BLDC电机驱动逆变器。EPC9167在 14 V 和 60 V(标称 48 V)之间的输入电压下工作,并备有两种配置 —— 标准和大电流版本:

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Better thermal management of eGaN FETs

Better thermal management of eGaN FETs

A few simple thermal management guidelines can help conduct heat away from GaN FETs. Enhancement-mode gallium nitride (eGaN) FETs offer high power-density with ultra-fast switching and low on-resistance, all in a compact form factor. However, the power levels these high-performance devices provide can be limited by extreme heat-flux densities. If not managed properly, the generated heat can compromise reliability and performance. Fortunately, chip-scale packaging for eGaN FETs can be leveraged at the board-side and the backside (i.e., case) to better dissipate heat.

Power Electronics Tips
February, 2022
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EPC与MPS合作开发2 kW、48 V/14 V、稳压输出电压的DC-DC参考设计板,采用EPC最新的GaN FET,实现更高效、更小、更快的双向转换器

EPC与MPS合作开发2 kW、48 V/14 V、稳压输出电压的DC-DC参考设计板,采用EPC最新的GaN FET,实现更高效、更小、更快的双向转换器

EPC9165 是一款两相、稳压输出电压、48 V/14 V双向转换器,可实现2 kW 的功率和 96.8% 的峰值效率

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9165,这是一款2 kW、两相48 V/14 V双向转换器,在小尺寸内实现97%的峰值效率,非常适合具有高密度和高功率的48V电池组,例如电动和轻型运输所需的电池组。

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Automotive Buck/Reverse-Boost Converter with GaN for Efficient 48 V Power Distribution

Automotive Buck/Reverse-Boost Converter with GaN for Efficient 48 V Power Distribution

Demonstrating the design of a bi-directional DC-DC converter for automotive 48 V power distribution, showing how GaN technology is a powerful enabler for efficient electrification. The trend towards increasing electrification in the automotive industry enables car makers both to deliver new innovations to market cost-effectively and to meet increasingly stringent emissions legislation. Raising the vehicle’s main bus voltage to 48 V helps meet the demands of power-hungry systems such as the start-stop motor/generator of a mild hybrid vehicle, as well as loads such as electric power steering, electric supercharging, and vacuum and water pumps.

Bodo’s Power Systems
December, 2021
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面向高功率密度应用的 ePower 芯片组系列被选为Bodo‘s Power Systems “二月卓越产品”

面向高功率密度应用的 ePower 芯片组系列被选为Bodo‘s Power Systems “二月卓越产品”

EPC公司推出了100 V、65 A 集成电路芯片组,专为 48 V DC/DC 转换而设计,用于高密度计算应用,以及用于电动汽车、机器人和无人机的 48 V BLDC电机驱动器。EPC23101 eGaN IC 配合 EPC2302 eGaN FET成为ePower芯片组,其最大耐受电压为 100 V,提供高达 65 A 的负载电流,开关速度大于 1 MHz。

Bodo’s Power Systems
2022 年 2 月
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EPC Releases Phase 14 Report on GaN Reliability and the use of Physics-Based Models to Project eGaN Device Lifetime

EPC Releases Phase 14 Report on GaN Reliability and the use of Physics-Based Models to Project eGaN Device Lifetime

Efficient Power Conversion (EPC) publishes Phase-14 Reliability Report, which adds to the extensive knowledge and demonstrates a robustness capability unmatched by silicon power devices.

EL SEGUNDO, Calif.— February 2022 — EPC announces its Phase-14 Reliability Report, documenting the strategy used to achieve a remarkable field reliability record. The rapid adoption of GaN devices in many diverse applications calls for the continued accumulation of reliability statistics and research into the fundamental physics of failure in GaN devices. The Phase-14 Reliability Report presents the strategy used to measure and predict lifetime based upon tests that force devices to fail under various conditions. This information can be used to create more robust and and higher performance products for applications such as lidar for autonomous cars, robotics, security, and drones, high power density computing, and satellites, to name just a few.

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EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计

EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计

EPC9170演示板是一款两相、可调输出电压的48 V/14 V双向转换器,提供2 kW功率和实现96.8 %峰值效率。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9170演示板,这是一款2kW、两相48 V /14 V双向转换器,在小尺寸内实现96.8%的峰值效率。该板采用100 V、65 A 的ePower™集成电路芯片组,包含EPC23101 eGaN® IC和EPC2302 eGaN® FET,可实现的解决方案的最大电压为100 V、负载电流可高达65 A和开关频率可超过1 MHz。

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易于使用的设计工具帮助工程师缩短基于氮化镓的功率系统的上市时间

易于使用的设计工具帮助工程师缩短基于氮化镓的功率系统的上市时间

宜普电源转换公司(EPC)为工程师提供更多的设计工具、模型和性能仿真器,用于基于高性能氮化镓器件的设计。

EPC公司宣布推出GaN Power Bench™设计工具,帮助工程师实现基于氮化镓器件的设计的最高性能。eGaN® FET和IC具有快速开关、高效和小尺寸等优势,可满足当今前沿应用对功率密度的严格要求。GaN Power Bench工具可帮助设计工程师为各种应用选择最合适的氮化镓器件、模拟和优化设计的散热性能,并提供应用实例和相关文档,从而可以快速、轻松地实现最佳设计的理想性能。

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