The increase in switching speed offered by GaN transistors requires good measurement technology, as well as good techniques to capture important details of high-speed waveforms. This article focuses on how to leverage the measurement equipment for the user’s requirement and measurement techniques to accurately evaluate high performance GaN transistors. The article also evaluates high bandwidth differential probes for use with non-ground-referenced waveforms.

EDN Network
By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij
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最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。 阅读全文

There have been several comparisons of eGaN FETs with silicon MOSFETs in a variety of applications, including hard-switched, soft-switched, and high-frequency power conversion. These studies have shown that eGaN FETs have large efficiency and power density advantages over silicon MOSFETs. Here we’ll focus on the use of eGaN FETs in synchronous rectifier (SR) applications and the importance of dead-time management. We show that eGaN FETs can dramatically reduce loss due to dead-time in synchronous rectifiers above and beyond the benefits of low RDS(on)and charge.

Power Systems Design
By: Dr. John Glaser & Dr. David Reusch, Efficient Power Conversion
June 13, 2016
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EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器，展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

宜普电源转换公司（EPC）推出EPC9066、EPC9067及EPC9068开发板，可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器。这些开发板专为功率系统设计师而设，对氮化镓晶体管的优越性能进行评估方面提供了简易方法，使得设计师的产品可以快速量产。三块开发板都配备了具有零Q_RR、同步自举整流器的栅极驱动器，从而在高达15 MHz的高频工作条件下可以提高效率。该些开发板在降压转换器及D类放大器配置的最大输出电流为2.7 A。在整个电流范围都可以降低损耗。

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宜普电源转换公司为功率系统设计师提供一款具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2027 eGaN^® FET)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。

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In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss a new family of eGaN FETs that is keeping Moore’s Law alive with significant gains in key switching figures of merit that widen the performance gap with the power MOFET in high frequency power conversion.

EEWeb
By: Alex Lidow
October, 2014

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On September 3^rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.

EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3^rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).

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本章展示在10 MHz频率开关、采用氮化镓场效应晶体管的硬开关降压转换器的结果及提供转换器功耗的细数。此外，我们将展示采用氮化镓场效应晶体管的转换器目前所取得无可匹敌的高频性能及如果要推动器件工作在更高频率时所面对的限制。

EEWeb
作者：Alex Lidow
2014年8月

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由于德国航空太空中心的机械人及机械电子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）对改善传感器及功率电子的兴趣很大，我们利用开发全新机械人的机会来评估宜普电源转换公司（EPC）的全新增强型氮化镓场效应晶体管技术并与我们目前最优秀的逆变器设计进行比较。

杂志 ：Bodo’s Power Systems
作者：德国航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期：2014年3月

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于2014年IEEE的 APEC功率电力电子业界研讨会中，宜普电源转换公司的应用技术专家将分享氮化镓场效应晶体管技术如何于应用中比硅功率MOSFET器件优胜。

硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于2014年APEC技术研讨会以应用为主题进行三场技术演讲，与参与者分享高频谐振转换器及高频、硬开关功率转换器设计。研讨会将于3月16日至20日在德克萨斯州的Fort Worth举行。

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本章展示氮化镓场效应晶体管如何推动具高度谐振、松散耦合性、工作在6.78 MHz ISM频带的无线电源传送技术，实现高效无线能源传送，并与工程师分享使用电压模式D类及E类方法的范例。

EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月

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本章我们回到讨论硬开关转换器，但不同的是晶体管在更高频率的条件下工作，超越硅技术的实际限制。

EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月

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EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管，展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。

宜普电源转换公司推出150 W、8 Ω D类音频放大器的参考设计（EPC9106）。该演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，配置四个具接地连接的半桥输出级电路，为可升级及可拓展的设计。在这个基于氮化镓场效应晶体管的系统中，我们把所有可影响D类音频系统音质的元素减至最少或完全去除。

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在开关频率10 MHz或以上，电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件，由于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）提供无可匹敌的器件性能及封装，因此可以在高频时提高电源转换效率。

Bodo’s Power Systems
客席编辑： Alex Lidow
2013年11月

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With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.

October, 2013
Bodo's Power Systems

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