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IEEE电力电子学会(PELS)在线研讨会: “充分发挥采用芯片级封装的氮化镓晶体管及集成电路的优势”

IEEE电力电子学会(PELS)在线研讨会: “充分发挥采用芯片级封装的氮化镓晶体管及集成电路的优势”

IEEE电力电子学会( PELS)将于2016年11月3日(星期四)举行在线研讨会,届时将由Alex Lidow及Michael de Rooij主讲并与参加者分享采用芯片级封装的氮化镓功率器件的设计及PCB制造方法。

氮化镓技术领袖宜普电源转换公司(EPC)的专家将于美国东部夏令时间(EDT)11月3日(星期四)早上11时至中午12时于IEEE电力电子学会( PELS)在线研讨会中与工程师分享如何设计及使用氮化镓晶体管。

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针对无线电源传送应用的氮化镓器件的对话

针对无线电源传送应用的氮化镓器件的对话

全新氮化镓技术推动了无线电源传送应用的发展。近来在A4WP及PMA的合并下,工程师们对该发展尤感兴趣。 本访问涵盖了饶富兴味的问题并解答了氮化镓器件何时会备受半导体业界广泛采纳。访问的内容包括氮化镓器件的优势、成本如何可以更低、最新器件的创新性、器件可以工作在高频的条件下而具备小尺寸、优越的散热管理、氮化镓的市场如何可以超越硅器件的市场及氮化镓技术的未来发展等。

功率系统设计
2015年6月24日
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利用eGaNFET实现高效、宽负载范围的无线电源传送

利用eGaNFET实现高效、宽负载范围的无线电源传送

氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)之前在松散耦合式无线电源传送解决方案中,展示了在采用零电压开关(ZVS)D类或E类放大器拓扑并工作在on-resonance条件下,该些晶体管具有较高的效率。然而,可行的无线电源系统需要满足这些系统的易用性的要求,结果是反射式线圈阻抗在负载和耦合变化时显著偏离谐振。由于这些系统仍然需要向负载供电,因此放大器需要在宽阻抗范围内驱动线圈。诸如A4WP第三等级的规范定义了可以满足易用性因素、宽泛的线圈阻抗范围,并且可以用作比较放大器的性能的起点。

本章根据A4WP第三等级的标准对ZVS D类及E类放大器拓扑在6.78MHz频率下进行测试并通过缩小了的阻抗范围来判断固有的工作范围极限。诸如器件的温度和电压极限等因素将确定每个放大器能够驱动线圈的负载阻抗范围。

Bodos China
宜普电源转换公司应用工程执行总监Michael de Rooij博士
2015年6月
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