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立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140 W快充解决方案

立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140 W快充解决方案

宜普电源转换公司(EPC)和立锜科技(Richtek)携手推出新型快充参考设计,使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204,可实现超过98%的效率。

宜普电源转换公司和立锜科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器参考设计,可将12 V~24 V的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压,并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比,新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管EPC2204相结合,使得解决方案尺寸可缩小20%以上,而且在20 V和12 V输出电压下,可实现超过98%的效率。在不需使用散热器和5 A连续电流下,20 V转5 V的最大升温低于摄氏15度,而12 V转20 V的最高升温则低于摄氏55度。

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Go-Ahead for GaN

Go-Ahead for GaN

Smaller, faster, lower cost, and more integrated, GaN-on-Silicon devices have the confidence of designers across a spectrum of power conversion applications. In this article, Alex Lidow explains why it’s getting harder to avoid using GaN power transistors and ICs.

Electronic Specifier
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氮化镓的强大推动力及演进 - 第四章:eGaN FET和集成电路为手术用的机械人带来精准的控制

氮化镓的强大推动力及演进 - 第四章:eGaN FET和集成电路为手术用的机械人带来精准的控制

本章讨论由于低压硅基氮化镓(GaN)器件具备超快速的开关速度,因此实现了很多全新应用的出现。这些应用推动了行业的改革,例如面向全自动驾驶汽车的激光雷达(lidar)、面向5G通信应用的包络跟踪,以及家用和用于办公室的大面积无线电源技术。此外,我们会探讨氮化镓功率器件如何为手术用的机械人带来精准的控制,从而推动了医疗行业的最新发展。

Power Systems Design
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eGaN Technology Reliability and Physics of Failure

eGaN Technology Reliability and Physics of Failure

In this series we will look at the various ways the reliability of eGaN® technology has been validated, and how we are developing models from our understanding of the physics of failures that can help predict failure rates under almost any operating condition. In this first installment and the next, we will look at the field experience from the past six years of GaN transistors use in a variety of applications from vehicle headlamps to medical systems to 4G/LTE telecom systems. Diving into the failure of each and every part leads to some valuable lessons learned.

Planet Analog
Chris Jakubiec, Robert Strittmatter, Ph.D., and Alex Lidow, Ph.D.
March 1, 2016
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科学家正在开发出一种你可以吞下的X-ray药丸

科学家正在开发出一种你可以吞下的X-ray药丸

一种全新产品的面世有可能使检查大肠中的癌细胞好像吞下药丸般这么容易。这种技术是基于一种由宜普电源转换公司(EPC)开发的全新晶片,该晶片并没有使用硅技术 -- 它使用了氮化镓(GaN)技术。宜普公司的首席执行官Alex Lidow对Quartz谈及他们公司的晶片可以耐受Check Cap内的各个感应器所需的高电压。

Quartz
2015年7月30日
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