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GaN FET让您实现高性能D类音频放大器

GaN FET让您实现高性能D类音频放大器

D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效,从而可实现全定制、高性能的电路设计。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9192参考设计,可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器,于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势,在4Ω负载时,每声道输出功率达700 W。

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基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068开发板,可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器。这些开发板专为功率系统设计师而设,对氮化镓晶体管的优越性能进行评估方面提供了简易方法,使得设计师的产品可以快速量产。三块开发板都配备了具有零QRR、同步自举整流器的栅极驱动器,从而在高达15 MHz的高频工作条件下可以提高效率。该些开发板在降压转换器及D类放大器配置的最大输出电流为2.7 A。在整个电流范围都可以降低损耗。

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Radiated EMI Filter Design for an eGaN FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer

Radiated EMI Filter Design for an eGaN FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer

In this installment, we present a method to design a suitable EMI filter that can reduce unwanted frequencies to levels within radiated EMI specifications, and do this without negatively impacting the performance of the wireless power coil. In addition, the overall radiated EMI design aspects will also be covered.

EEWeb - Wireless & RF Magazine
Michael de Rooij, Ph.D.
February, 1, 2016
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宜普电源转换公司(EPC)扩大面向无线电源充电应用 的超小型及低成本eGaN FET产品系列

宜普电源转换公司(EPC)扩大面向无线电源充电应用 的超小型及低成本eGaN FET产品系列

EPC2037增强型氮化镓功率晶体管(100 V、1 A、550 mΩ)由一个数字驱动器直接驱动,于采用D类及E类放大器拓扑的无线充电应用中可以实现高频开关及特别优越的性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn )推出增强型氮化镓功率晶体管(eGaN® FET)系列的最新成员 -- EPC2037

EPC2037(100 VDS、1 A)非常小型(1.82 mm2)及在栅极上施加5 V电压时的最大导通阻抗为 550 mΩ。 由于它具备超高开关频率、低导通阻抗值、异常低QG值及采用超小型封装,因此它在电源转换系统具备高性能优势。EPC2037由一个数字逻辑集成电路直接驱动,因此不需额外及高成本的驱动器集成电路。

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