Efficient Power Conversion (EPC) publishes Phase-14 Reliability Report, which adds to the extensive knowledge and demonstrates a robustness capability unmatched by silicon power devices.

EL SEGUNDO, Calif.— February 2022 — EPC announces its Phase-14 Reliability Report, documenting the strategy used to achieve a remarkable field reliability record. The rapid adoption of GaN devices in many diverse applications calls for the continued accumulation of reliability statistics and research into the fundamental physics of failure in GaN devices. The Phase-14 Reliability Report presents the strategy used to measure and predict lifetime based upon tests that force devices to fail under various conditions. This information can be used to create more robust and and higher performance products for applications such as lidar for autonomous cars, robotics, security, and drones, high power density computing, and satellites, to name just a few.

Standard qualification testing for semiconductors typically involves stressing devices at-or-near the limits specified in their data sheets for a prolonged period of time, or for a certain number of cycles. The goal of qualification testing is to have zero failures out of a large group of parts tested. By testing parts to the point of failure, an understanding of the amount of margin between the data sheet limits can be developed, but more importantly, an understanding of the intrinsic failure mechanisms of the semiconductor can be found.

IEEE Power Electronics Magazine
December, 2020
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继第一至第九阶段可靠性测试报告后，EPC公司的 第十阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对超过30,000个元件进行了超过1,800万小时的应力测试后，没有器件发生故障。在过去的两年间，我们所付运的数百万个元件没有发生现场失效的情况。

宜普电源转换公司（EPC）发布第十阶段可靠性测试报告，成功通过车规级AEC-Q101应力测试认证。AEC-Q101认证要求功率场效应晶体管符合最高的可靠性标准，不仅仅要求器件符合数据表内所载的条件而没有发生故障，也同时要求在应力测试中，具有低漂移。请注意，EPC所采用的晶圆级芯片规模封装（WLCSP）也符合所有针对传统封装的测试标准，展示出该封装具备卓越性能之同时没有影响到器件的稳固性或可靠性。

本系列的第四章中，我们探讨了采用晶圆级芯片规模封装的eGaN器件的热机械可靠性。同样重要的是，我们需要了解有栅极偏置时，器件有可能发生的故障模式。本章探讨氮化镓（GaN）场效应晶体管的栅极在偏置电压时失效的物理原因。我们把eGaN FET的栅极控制电压提升至特定的最大极限值和极限值以上，从而分析该器件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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在本系列的第一、二及第三章中，我们详细讲解了关于EPC增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路(IC)的现场可靠性及它们被认证通过应力测试。在应用中，我们把器件置于预期的工作条件下并施加应力，其测试结果引证了氮化镓器件的现场可靠性。同样重要的是了解 eGaN器件固有的物理特性，它如何在被施加应力后并超出预期工作条件时（例如数据表的参数及安全工作区(SOA)）而失效。本章将进一步深入探讨失效的物理原因 -- 采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）的eGaN器件的热机械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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在本系列的第一及第二章，我们详细讲解了关于EPC的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN^®FET)及集成电路(IC)的现场可靠性报告。具备优越的现场可靠性的eGaN器件展示出通过基于应力的认证测试可确保客户的应用也可以非常可靠。本章将阐释EPC器件在认证之前被置于及通过的各种应力测试。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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宜普电源转换公司（EPC）的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）及集成电路正在驱动最终用户应用的发展，包括LiDAR、无线充电、DC/DC电源转换、射频发射基站、卫星系统及音频放大器等应用。

从现场可靠性数据可以确证eGaN^® FET及集成电路于客户应用的品质。在本章节，我们分享eGaN FET的可靠性及现场数据的概述，包括在过去六年间我们对量产及已经付运的eGaN产品所收集的可靠性现场数据，以及分析超过170亿小时受测器件的现场数据。最后所得的FIT比率(109小时内发生失效的器件)大约是0.24，这是目前最好的现场可靠性测试结果。

Plant Analog
作者：Chris Jakubiec
2016年5月1 日
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