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EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管

EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。

全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

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EPC推出用于高功率密度电源转换和激光雷达应用的100 V eGaN功率晶体管

EPC推出用于高功率密度电源转换和激光雷达应用的100 V eGaN功率晶体管

EPC公司为电源系统设计工程师提供全新的100 V、23 mΩ 功率晶体管(EPC2070),它采用微型芯片级封装并提供34 A脉冲电流,非常适合 60 W、48 V 电源转换器、激光雷达和 LED 照明等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的氮化镓晶体管(EPC2070),具有23 mΩ 的最大导通阻抗和34 A脉冲输出电流,可在细小的1.1 mm2占板面积实现高效功率转换。

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EPC公司的40 V eGaN FET是高功率密度电信、 网通和计算解决方案的理想器件

EPC公司的40 V eGaN FET是高功率密度电信、 网通和计算解决方案的理想器件

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN®EPC2067,专为设计人员而设。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2067(典型值为 1.3 mΩ、40 V)扩大了可选的低压器件,可立即供货。

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EPC扩大了 40 V eGaN FET的产品陈容, 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC扩大了 40 V eGaN FET的产品陈容, 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET),器件型号为EPC2069,专为设计人员而设,EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069(典型值为 1.6 mΩ、40 V)是更高性能的低压器件,可立即供货。

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The 48 V Revolution: Why GaN Plus Digital Control for Ultra-thin Laptops

The 48 V Revolution: Why GaN Plus Digital Control for Ultra-thin Laptops

This article discusses how GaN-based solutions coupled with digital control increase efficiency, shrink the size, and reduce system costs for high density computing applications like ultra-thin laptops and high-end gaming systems. As computers, displays, smartphones and other consumer electronics systems become thinner and more powerful over the past decade, there is increasing demand for addressing the challenge of thinner solutions while extracting more power out of limited space. To address this challenge, the comparative advantages of various non-isolated DC-DC step-down topologies for ultra-thin 48 V – 20 V power solutions that are designed to fit inside a notebook computer or an ultra-thin display are examined.

Power Electronics News
January, 2021
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宜普电源转换公司(EPC)推出具有最优越的同步整流性能和极具成本效益的170 V eGaN FET,抢占高端服务器和消费类电源应用市场

宜普电源转换公司(EPC)推出具有最优越的同步整流性能和极具成本效益的170 V eGaN FET,抢占高端服务器和消费类电源应用市场

宜普电源转换公司(EPC)推出170 V、6.8毫欧的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),相比目前用于高性能48 V同步整流的器件,EPC为设计工程师提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。

宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商,旨在提高产品性能而同时降低可发货的氮化镓晶体管的成本,推出EPC2059(6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管,是100 V ~ 200 V解决方案系列的最新产品,该系列适用于广阔的功率级并备有不同价格的器件可供选择,满足市场对48 V ~ 56 V服务器和数据中心产品,以及一系列用于高端计算的消费类电源应用(包括游戏PC,LCD / LED电视和LED照明)不断增长的需求。

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eGaN FET实现具有98%效率、250 W、48 V DC/DC解决方案, 用于超薄且高密度的计算应用

eGaN FET实现具有98%效率、250 W、48 V DC/DC解决方案, 用于超薄且高密度的计算应用

基于宜普电源转换公司(EPC)超高效eGaN® FET的两种高功率密度DC/DC转换器,推动超薄笔记本电脑、显示器、高端游戏系统和其它纤薄型消费电子产品实现高效解决方案

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出用于48 V DC/DC转换的EPC9148EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄电源模块,采用简单且低成本的同步降压配置,峰值效率高达98.2%,其元件的最大厚度为6.5 毫米。EPC9148使用多电平拓扑结构,元件的最大厚度小于4 毫米,峰值效率为98%。

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Power Product News from ‘Virtual APEC’

Power Product News from ‘Virtual APEC’

Starting on page 13 of this story, EPC discusses with David Morrison the latest GaN developments meant for APEC. Alex Lidow, CEO and co-founder of EPC, discussed his company’s new power stage ICs, their development of GaN-based reference designs using a multi-level topology and various demos that were originally bound for APEC.

How2Power Today
April, 2020
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