根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息，宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序（案件编号：4W116775）中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称英诺赛科公司）。

According to the information on the official website of the China National Intellectual Property Administration (CNIPA) on April 2, 2024, the key claims 6, 9, 10, 13, 14, 17, 18 and 22-26 of the Chinese patent titled “Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same” (Patent No. ZL201080015388.2) owned by Efficient Power Conversion Corp (“EPC”) have been maintained valid during an invalidation procedure (case number: 4W116775), which was requested by the petitioner Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. (“Innoscience”).

Since the launch of GaN-on-Si enhancement mode power transistors in March 2010 there has been a slow but monotonic shift towards adoption and replacement of silicon-based power MOSFETs. Initial adoption came from risk-taker visionaries in applications such as lidar, high-end audio amplifiers, robots, vehicle headlamps, and high-performance DC-DC converters. For the expansion of GaN for power conversion to get beyond the early adopters, a more user-friendly format than the WLCP needed to be developed. This format, however, needed to preserve the key attributes of small size, low RDS(on), high speed, excellent thermal conductivity, and low cost. In other words, the best package would be the least amount of package technically possible. Enter the PQFN…

Bodo’s Power Systems
March, 2023
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Efficient Power Conversion (EPC) strengthens market leadership in gallium nitride power conversion by adding significant 8-inch manufacturing capacities in collaboration with Vanguard International Semiconductor Corporation (VIS).

EL SEGUNDO, Calif.— December 6, 2022 — EPC, the world’s leader in gallium nitride (GaN) power FETs and integrated circuits (ICs), and Vanguard International Semiconductor Corporation (VIS), a leading specialty IC foundry service provider, today jointly announced a multi-year production agreement to produce gallium nitride-based power semiconductors. EPC will utilize VIS’ 8-inch (200 mm) wafer fabrication capabilities, significantly increasing manufacturing capacities for EPC’s high-performance GaN transistors and integrated circuits. Manufacturing will commence in early 2023.

BRC Solar公司的新型M500/14功率优化器采用EPC公司的100 V 氮化镓器件（EPC2218)，它的占板面积小，可实现更高的频率和额定功率。

BRC Solar公司凭借其功率优化器彻底改变了光伏市场的发展、提高了光伏电站和系统的发电量和性能。其新一代M500/14 功率优化器采用了宜普电源转换公司的EPC2218（100 V的场效应晶体管），实现了更高的功率密度，因为GaN FET的低功耗和小尺寸使关键负载电路更加紧凑。而GaN FET的小寄生电容和电感可实现没有杂讯的开关和良好的EMI特性。GaN FET的另一个优点是没有反向恢复损耗。

EPC announces the introduction of a 100 V, 65 A integrated circuit chipset designed for 48 V DC-DC conversion used in high-density computing applications and in 48 V BLDC motor drives for e-mobility, robotics, and drones.

The EPC23101 eGaN IC plus EPC2302 eGaN FET offers a new ePower Chipset capable of a maximum withstand voltage of 100 V, delivering up to 65 A load current, while capable of switching speeds greater than 1 MHz.

EE World Online
December, 2021
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氮化镓技术发展迅速，在开发出多代全新分立器件后，具备更高效、更小尺寸和成本更低等优势的新世代集成电路继续崛起。氮化镓集成电路让产品可以更小型化、开关更快、更高效且更易于设计。

Power Systems Design
2021年3月 (第36-39页)
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EL SEGUNDO, Calif. — December 2020 — BrightLoop Converters has greatly reduced the size, cost and improved reliability of its latest BB SP DC-DC buck converters thanks to Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) EPC2029 enhancement-mode gallium nitride (eGaN^®) FET transistors. By switching from silicon (Si) transistors to gallium nitride (GaN), BrightLoop was able to increase the switching frequency of their design from 200 kHz to 600 kHz, while keeping the same efficiency. This design change increased the power density of the solution by a factor of approximately two and this resulted in lower cost by enabling the implementation of a smaller enclosure.

EPC’s EPC2029 is an 80 V, 48 A eGaN^® FET featuring a 1 mm ball pitch. The wider pitch allows for placement of additional and larger vias under the device to enable high current carrying capability despite the extremely small 2.6 mm x 4.6 mm footprint.

新一代100 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）是48 V_OUT同步整流、D类音频放大器、汽车信息娱乐及激光雷达系统的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即发货。采用这些先进氮化镓器件的应用非常广阔，包括同步整流器、D类音频放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器（硬开关和谐振式）和面向全自动驾驶汽车、机械人及无人机的激光雷达系统。

新一代200 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）是48 V_OUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同时成本更低，目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔，包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器（MPPT）、DC/DC转换器（硬开关和谐振式），以及多电平高压转换器。

美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的数字信号控制器（DSC）与宜普电源转换公司（EPC）的超高效氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）的结合，可实现最佳功率密度（730 W/in³），从而实现高效、低成本的DC-DC转换。

EPC公司宣布推出1/16砖式、300 W DC/DC稳压器（EPC9143）。 EPC9143功率模块把Microchip dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（EPC2053）集成在一起，实现25 A、48 V/12 V和96％效率的功率转换。

A recent design for an ultra-high speed, low-impedance pulse generator to evaluate oscilloscope probe performance and for determining the feasibility of an in-socket load for ASIC emulation using EPC eGaN™ FET, EPC2037 reveals just how fast these power devices are.

Signal Integrity
March 12, 2020
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EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板（EPC9144）。

于Venetian酒店的hospitality suite现场，EPC将为工程师展示改变世界的创新应用与氮化镓（GaN）技术如何共创全新领域。基于氮化镓器件的解决方案具备更高效、更小尺寸及更低成本等优势。

宜普电源转换公司（EPC）将在2020年1月7日至10日，于美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展（CES 2020）为工程师展示eGaN^®技术的庞大潜力，它可以推动多种消费电子应用的发展，从而改变市场的游戏规则，包括全自动驾驶汽车、机器人、无人机、无线电源、世界第一流的音频系统及车载解决方案。

于CES 2020 展览，欢迎莅临Venetian酒店内的EPC演示套房，与氮化镓专家一起参观、学习及讨论氮化镓技术如何推动改变世界的创新设计的发展。

In support of a widening customer base in Europe, Efficient Power Conversion Corporation has expanded its technical leadership team to assist customers in the adoption of eGaN^® FETs and Integrated circuits for applications including DC-DC, Lidar, motor control, and beyond.

EL SEGUNDO, Calif. — October, 2019 — To support its accelerating design activity, and to provide local technical support to EPC’s customers in Europe, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Marco Palma, a seasoned expert, has joined the EPC technical leadership team as Senior FAE Manager for Europe. 

宜普电源转换公司(EPC)的车规级并通过AEC Q101认证的氮化镓晶体管系列增添全新成员 -- 经过优化的15 V EPC2216，实现不昂贵的高性能激光雷达系统。

宜普公司宣布15 V的EPC2216成功通过AEC Q101认证，专为需要高准确性的激光雷达应用而设计，例如全自动驾驶汽车，以及其它的飞行时间（ToF）应用，包括人面识别、自动化仓库、无人机及地图制作。

为了使得客户易于集成功率系统，宜普电源转换公司（EPC）为客户提供领导业界的氮化镓功率器件的晶圆。

EPC公司宣布推出领导业界的增强型氮化镓器件的晶圆，使得客户易于集成功率系统。EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）及集成电路一直以来都是以单个并包含锡条或锡球的芯片级器件出售。

EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN^® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

继第一至第九阶段可靠性测试报告后，EPC公司的 第十阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对超过30,000个元件进行了超过1,800万小时的应力测试后，没有器件发生故障。在过去的两年间，我们所付运的数百万个元件没有发生现场失效的情况。

宜普电源转换公司（EPC）发布第十阶段可靠性测试报告，成功通过车规级AEC-Q101应力测试认证。AEC-Q101认证要求功率场效应晶体管符合最高的可靠性标准，不仅仅要求器件符合数据表内所载的条件而没有发生故障，也同时要求在应力测试中，具有低漂移。请注意，EPC所采用的晶圆级芯片规模封装（WLCSP）也符合所有针对传统封装的测试标准，展示出该封装具备卓越性能之同时没有影响到器件的稳固性或可靠性。

作为为支持DC/DC、激光雷达（LiDAR）、无线电源应用等方面不断扩大的客户群进行扩展的一部分，宜普电源转换公司（EPC）扩大了其在亚洲的团队，增加的新成员将与整个亚太地区21个地区的客户保持密切联系。

2018年11月28日— 为了支持在亚太地区正在加速的销售增长，宜普电源转换公司（EPC）宣布扩大亚太地区的销售和FAE团队，以支持其不断扩大的客户群，积极获取全新的业务发展及抓住全新的市场商机。