LLC resonant converters have emerged as the preferred topology for an intermediate 48 V to 12 V conversion due to their high efficiency, high power density and good dynamic response. The outstanding performance resulting from the combination of this topology with GaN transistors has been demonstrated in the past. This article presents how the newest generation of GaN devices, such as those from EPC, continues to push the envelope even further.

Bodo’s Power Systems
November, 2023
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EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC转换器，占板面积仅为17.5 mm x 22.8 mm，可实现5130 W/in³最先进的功率密度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9159参考设计。这是一款48 V/12 V的LLC转换器，专为高功率密度48 V服务器电源和DC/DC转换器而设计。该参考设计可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封装内提供高达1 kW的功率，其功率密度为5130 W/in³。这是在初级侧和次级侧电路中采用于高开关频率工作的氮化镓(GaN)功率器件才可以实现的。

Growing computational power and miniaturization of electronics in computing and data centers is increasingly putting pressure on 48-V power delivery and conversion systems. High-efficiency and high-power–density converters enable a reduction in power losses at the system level while allowing smaller form factors. In this context, LLC resonant topologies combined with GaN technology succeed to deliver outstanding performance, as it has been demonstrated with multiple examples. This article will show the key design parameters and components to achieve beyond 4 kW/in3 of power density in a 48-V to 12-V LLC converter using eGaN^® FETs.

Power Electronics News
December, 2022
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宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。

全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓（eGaN^®）功率场效应晶体管和集成电路，新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

氮化镓场效应晶体管和集成电路的用户现在有了一个工具来确定应用中需要的降额和降额设计中应考虑的因素。宜普公司开发了一个基于第一原理的物理模型，以解释氮化镓晶体管在硬开关时，导通电阻如何上升。本文提供了两个同步整流应用实例的演示。

Electronic Specifier
2022年5月
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The design of an LLC resonant converter illustrates how eGaN FETs can shrink the physical size of modern supply circuitry.

Power Electronic Tips
October, 2021
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随着数据处理基础设施的持续快速增长，市场要求在最小的占板面积内提供更高的功率。

Power Systems Design
2021年9月
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The combination of MPS (Monolithic Power Systems) controllers with ultra-efficient eGaN^® FETs from EPC (Efficient Power Conversion) enable best-in-class power density of 1700 W/in³ in high efficiency, low cost LLC DC-DC Conversion

根据预测，到2025年，我们的数据将会超过175 zettabyte。当发明了 5G并将最早于2020年在日本举行的奥运采用、以及通过人工智能（AI）及机器学习（ML）的发展，建立数据中心和其部署、以及提升目前较旧的数据中心的效能，将进入突飞猛进的时代。

我深信氮化镓（GaN）功率晶体管是数据中心功率架构的最理想元件，因为需要小型化、高效及快速开关的元件。氮化镓器件在具48 VIN的所有拓扑，都可以实现最高的效率。

EDN
2019年6月
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