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GaN FET可实现5130 W/in3 的基准功率密度,支持人工智能和先进计算应用

GaN FET可实现5130 W/in3 的基准功率密度,支持人工智能和先进计算应用

EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC转换器,占板面积仅为17.5 mm x 22.8 mm,可实现5130 W/in3最先进的功率密度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9159参考设计。这是一款48 V/12 V的LLC转换器,专为高功率密度48 V服务器电源和DC/DC转换器而设计。该参考设计可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封装内提供高达1 kW的功率,其功率密度为5130 W/in3。这是在初级侧和次级侧电路中采用于高开关频率工作的氮化镓(GaN)功率器件才可以实现的。

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EPC在APEC 2022展会上展示GaN技术如何 为48 V应用带来革命性

EPC在APEC 2022展会上展示GaN技术如何 为48 V应用带来革命性

EPC公司的氮化镓专家将在APEC展会分享多项现场演示以阐释氮化镓技术如何为许多行业的功率转换带来革命性突破,包括计算、通信和e-mobility。

宜普电源转换公司(EPC)团队将于3月20日至24日在休斯顿举行的IEEE应用电力电子会议和博览会(APEC 2022)上进行多场关于氮化镓技术的演讲和专业研讨会,详请如下。 此外,我们将在1302号展位展出采用新型eGaN®FET 和 IC的客户的最新产品。

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EPC扩大了 40 V eGaN FET的产品陈容, 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC扩大了 40 V eGaN FET的产品陈容, 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET),器件型号为EPC2069,专为设计人员而设,EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069(典型值为 1.6 mΩ、40 V)是更高性能的低压器件,可立即供货。

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