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GaN FET可实现5130 W/in3 的基准功率密度,支持人工智能和先进计算应用

GaN FET可实现5130 W/in3 的基准功率密度,支持人工智能和先进计算应用

EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC转换器,占板面积仅为17.5 mm x 22.8 mm,可实现5130 W/in3最先进的功率密度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9159参考设计。这是一款48 V/12 V的LLC转换器,专为高功率密度48 V服务器电源和DC/DC转换器而设计。该参考设计可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封装内提供高达1 kW的功率,其功率密度为5130 W/in3。这是在初级侧和次级侧电路中采用于高开关频率工作的氮化镓(GaN)功率器件才可以实现的。

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EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管

EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。

全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

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EPC推出用于高功率密度电源转换和激光雷达应用的100 V eGaN功率晶体管

EPC推出用于高功率密度电源转换和激光雷达应用的100 V eGaN功率晶体管

EPC公司为电源系统设计工程师提供全新的100 V、23 mΩ 功率晶体管(EPC2070),它采用微型芯片级封装并提供34 A脉冲电流,非常适合 60 W、48 V 电源转换器、激光雷达和 LED 照明等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的氮化镓晶体管(EPC2070),具有23 mΩ 的最大导通阻抗和34 A脉冲输出电流,可在细小的1.1 mm2占板面积实现高效功率转换。

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EPC公司的40 V eGaN FET是高功率密度电信、 网通和计算解决方案的理想器件

EPC公司的40 V eGaN FET是高功率密度电信、 网通和计算解决方案的理想器件

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN®EPC2067,专为设计人员而设。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2067(典型值为 1.3 mΩ、40 V)扩大了可选的低压器件,可立即供货。

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