由 Bodo Power Systems 主办的氮化镓行业专家圆桌会议的嘉宾包括：

1. EPC公司的首席执行官兼共同创始人Alex Lidow
2. Power Integrations公司的市场营销与应用工程副总裁Doug Bailey
3. Nexperia 公司的氮化镓功率技术营销战略总监Dilder Chowdhury
4. Navitas Semiconductor公司的市场营销战略高级总监Tom Ribarich

在下一代功率晶体管当中，氮化镓（GaN）技术为可替代硅MOSFET器件的其中一种技术。 当硅技术在性能上已经达到它的极限时，氮化镓器件具更卓越的传导性能及更快速开关性能。Alex Lidow在本播客将讨论氮化镓与硅功率器件的差异。

Power Electronic TIPS
2014年９月

领导增强型氮化镓晶体管发展的宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow首次在EEWeb.com撰写全新专栏，每月与设计工程师讨论硅基氮化镓功率器件可以 替代旧有功率MOSFET器件。

EEWeb.com
作者：Alex Lidow
日期：２０１３年6月

我们对功率半导体最基本的要求是性能、可靠性、管控性及成本效益。它的高频率性能，可切合稳压器系统于体积及瞬态响应方面的需要而具更高价值，并为D类功率放大器提供高保真度。一个新器件结构如果不高效、不可靠的话，根本不可能商品化。市场上有很多新结构及原料可选择，但是接受度有限。不过，现在有氮化镓(Gallium Nitride/GaN)增强型功率管控器件问世，具有高导电性、极快开关、硅器件之成本结构及基本操作模式等优异性能，其代表就是宜普公司的新产品。

Stephen Colino, Robert Beach
今日电子
2010年9月

閱讀全文

Due to its advantages GaN will probably become the dominant technology. GaN has a much higher critical electric field than silicon which enables this new class of devices to withstand much greater voltage from drain to source with much less penalty in on-resistance.

By Alex Lidow, PhD
Bodo’s Power Systems
June, 2010

Read the article

Recent breakthroughs by EPC in processing gallium nitride (GaN) have produced enhancement-mode devices with high conductivity and hyper-fast switching, with a silicon-like cost structure and fundamental operating mechanism.

By Robert Beach, Steve Colino
Electronic Design
April 29, 2010

Read the article