1/3/2012

德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖。该著名行业杂志的读者皆为电子设计工程师，经过编辑评审过千于2011年发布的产品，选出于以下各方面表现优胜的产品：创新设计、于技术或应用方面取得重大发展及具成本和性能超卓优势。

德州仪器推出业界首款针对增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的驱动器。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。国半的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。

“我们衷心祝贺德州仪器荣获这个殊荣。LM5113桥式驱动器为设计工程师提供一个确实的plug & play解决方案，加速业界采用eGaN ®FET及其普及化。LM5113释放了eGaN FET的效能优势，帮助设计工程师实现功率及系统密度方面的全新性能基准。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说。

http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx

众所周知，宜普电源转换公司(EPC)推出商用化增强型硅基氮化镓场效应晶体管(宜普称之为eGaN FET)产品已经超过一年多时间了。目前宜普公司正在与合作伙伴一起实现eGaN FET的专用驱动器，使其可以工作在更高电压、更低栅极电荷条件下，仍具更低的RDS(ON)，以及没有反向恢复损耗(QRR)——所有这些特性都在比硅产品更小的裸片面积上实现。相比硅MOSFET，eGaN FET实际上可以显著提升品质因数(FOM)。

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011

Read the article

GaN (Gallium-Nitride) FETs appear poised to eat into silicon FETs market share as switching devices for high-voltage power conversion circuits.

By Margery Conner
EDN
June 20, 2011

Read the article

National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 driver integrated circuit (IC) eliminates these challenges, enabling power designers to realize the benefits of GaN FETs in a variety of popular power topologies.

Read article