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全新栅极驱动器延伸德州仪器用以驱动氮化镓场效应晶体管的集成电路产品系列

德州仪器公司发布了一个全新应用于高密度电源转换器、专门驱动MOSFET及氮化镓场效应晶体管的低侧栅极驱动器(LM5114)。 这个驱动器适用于低侧应用,包括同步整流器及经过功率因数较正的转换器。加上在2011年推出的业界第一个100V半桥氮化镓场效应晶体管驱动器(LM5113),这个产品系列提供了完整的隔离DC/DC电源转换驱动器解决方案,专门驱动应用于高效电信、网络及数据中心的具大功率输出特性之氮化镓场效应晶体管及MOSFET。请浏览www.ti.com/gan 以取得详情、样片及评估板的资料。

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专用驱动器可发挥出增强型GaN FET的最佳性能 2011年6月28日13:38 发布

众所周知,宜普电源转换公司(EPC)推出商用化增强型硅基氮化镓场效应晶体管(宜普称之为eGaN FET)产品已经超过一年多时间了。目前宜普公司正在与合作伙伴一起实现eGaN FET的专用驱动器,使其可以工作在更高电压、更低栅极电荷条件下,仍具更低的RDS(ON),以及没有反向恢复损耗(QRR)——所有这些特性都在比硅产品更小的裸片面积上实现。相比硅MOSFET,eGaN FET实际上可以显著提升品质因数(FOM)。

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011

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National Semiconductor Introduces Industry’s First 100V Half-bridge Gate Driver for Enhancement-mode Gallium-Nitride Power FETs

National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 driver integrated circuit (IC) eliminates these challenges, enabling power designers to realize the benefits of GaN FETs in a variety of popular power topologies.

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