客户可以在我们的网页 注册 ,定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料,你可浏览以下的文档。
In this article, different power loop layouts are analyzed with simultaneous considerations for thermal management and electric parasitics.
The results show that an improved layout can provide a significant reduction in operating temperature rise while maintaining electrical performance benefits.
EE Power
October, 2022
Read Article
阅读全文
氮化镓晶体管和集成电路 提高了电机驱动应用的功率密度。最佳布局允许从桥臂分流器或同相分流器获得没有振铃噪声的输出开关波形和“干净“的电流重建信号。
Bodo’s Power Systems
2021 年 6 月
阅读文章
阅读全文
宜普电源转换公司(EPC)依据《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》第三版教科书的增订内容,更新了首7个、合共14个教程的视频播客,与工程师分享采用氮化镓场效应晶体管及集成电路的理论、设计基础及应用,例如激光雷达、DC/DC转换及无线电源等应用。
宜普电源转换公司(EPC)更新了其广受欢迎的“如何使用氮化镓器件”的视频播客系列。该视频系列的内容是依据最新出版的《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》.第三版教科书的内容制作。合共14个教程的视频播客系列旨在为功率系统设计工程师提供技术基础知识及针对专有应用的工具套件,从而让工程师学习如何采用氮化镓晶体管及集成电路,设计出更高效的功率转换系统。
阅读全文
The trend for electronics is to continually push towards miniaturization while increasing performance. With silicon MOSFET technology fast approaching its theoretical limit, enhancement mode gallium nitride (eGaN®) FETs from EPC have emerged to offer a step change improvement in power FET switching performance, enabling next generation power density possibilities by decreasing size and boosting efficiency. This article will explore the recommended layout techniques required to fully extract the benefits of EPC’s eGaN FETs.
By: Ivan Chan & David Reusch, Ph.D.
EEWeb –Modern Printed Circuits
August, 2015
Read Article
阅读全文
作者:宜普公司产品应用总监David Reusch博士
在不同的应用里与硅MOSFET器件相比,增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数,因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用(工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下),寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。
阅读文章
阅读全文