Efficient Power Conversion (EPC) expands AEC Q101 product family with the addition of the EPC2219, 65 V gallium nitride transistor with integrated reverse gate clamp diode optimized for high resolution lidar systems.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — EPC announces successful AEC Q101 qualification of the 65 V EPC2219 designed for lidar systems in the automotive industry and other harsh environments. 

从2010年开始，自硅基氮化镓（GaN）晶体管商用化后，低压氮化镓晶体管推动了很多全新应用的发展。氮化镓器件具备超快速开关，推动全新市场诸如激光雷达、包络跟踪及无线电源市场的出现。这些全新应用进一步实现更强大的供应链、低制造成本及器件前所未有的高可靠性。这些优势使得比较保守的设计工程师在DC/DC转换器、AC/DC转换器及车载等各种应用开始对氮化镓器件进行评估。在本文章系列，我们将讨论多种发挥氮化镓器件优势的应用，实现最终产品差异化的竞争优势。首先，我们会探讨是什么因素加快了氮化镓器件的普及。

Power Systems Design
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宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管（EPC2049），应用于负载点（POL）转换器、激光雷达（LiDAR）及具低电感的马达驱动器。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2049功率晶体管，应用于负载点（POL）转换器、激光雷达（LiDAR）、包络跟踪电源、D类音频放大器及具低电感的马达驱动器。 EPC2049晶体管的额定电压为40 V、最大导通电阻为5 mΩ及脉冲输出电流为175 A。

宜普电源转换公司（EPC）与工程师分享经过专业制作的6个视频，展示出在最终客户端的应用，例如无线充电桌面、高性能激光雷达、48 V–1.8 V DC/DC单级转换，以及利用氮化镓晶体管及集成电路实现准确控制的马达驱动器等应用。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）制作了6个精简视频，展示出在最终客户端采用eGaN^® FET及集成电路eGaN® FET及集成电路的应用。这些视频描述氮化镓技术正在改变我们的生活方式，并挑战功率系统设计工程师如何在他们新一代的功率系统设计中，发挥高效氮化镓场效应晶体管及集成电路的优势。

宜普电源转换公司（EPC）宣布位于美国弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN^® FET及 IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

宜普电源转换公司（EPC）宣布位于美国弗吉尼亚州(Virginia)的Blacksburg应用中心落成。该中心进一步支持增强型氮化镓晶体管及集成电路的研发及应用，从而扩大潜在市场的覆盖率。除了基于传统的场效应晶体管及集成电路的功率转换应用外，氮化镓技术推动新兴应用的出现，包括无线电源传输、应用于全自动驾驶车辆的激光雷达技术及 支持4G和5G通信标准的包络跟踪应用。

Alex Lidow与工程师分享于先进的包络跟踪应用采用氮化镓器件可以发挥功率管理技术的优势。如果放大器系统具备跟随信号的功能并且只输出所需功率，可节省大量能源及提高性能。

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本篇文章阐述面向使用第四代移动通信技术（4G）LTE带宽的无线通信基站基础设施并采用EPC8004高频氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源。基于eGaN^® FFET并采用四相位拓扑的软开关降压转换器可以准确地跟踪峰均比(PAPR)为7 dB的20 MHz LTE包络信号，提供60 W以上的平均负载功率，而总效率可高达92%。这种设计的可扩展性能可以支持不同的功率级别，工程师只需选择不同的EPC场效应晶体管设计不同的系统，从而可以满足不同功率级别的要求。

Bodo’s Power Systems
张远哲博士及Michael de Rooij博士
2016年3月
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张远哲博士将为业界的包络跟踪应用创建设计基准及帮助客户利用氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）实现高频、高性能的电源转换系统。

宜普电源转换公司（EPC）宣布张远哲（Yuanzhe Zhang）博士加入EPC的应用工程团队，担任应用工程总监。

宜普电源转换公司(EPC) Alex Lidow于2015年APEC研讨会上展示由氮化镓器件推动的无线电源传送应用

Power Systems Design
2015 年3月19日
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On September 3^rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.

EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3^rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).

于2014年IEEE的 APEC功率电力电子业界研讨会中，宜普电源转换公司的应用技术专家将分享氮化镓场效应晶体管技术如何于应用中比硅功率MOSFET器件优胜。

硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于2014年APEC技术研讨会以应用为主题进行三场技术演讲，与参与者分享高频谐振转换器及高频、硬开关功率转换器设计。研讨会将于3月16日至20日在德克萨斯州的Fort Worth举行。

EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range.

EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN^®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm² with 100 V_DS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum R_DS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of pico-coulombs.

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.

October, 2013
Bodo's Power Systems

作者：宜普公司产品应用副总裁Johan Strydom博士
日期：2012年4月30日刊载于Power Electronics Technology 杂志

在射频功率放大器的包络跟踪不是新技术。但随着社会对电源产业日益增长的需求如增长手机的电池寿命、提高基站的能效及增加高成本的射频传输器的输出功率，通过包络跟踪来提高射频功率放大器系统的效率已经成为科研的一个重要议题。

我们在这篇文章展示了在大功率输出的包络跟踪应用中的降压转换器，如何使用eGaN FET实现功率及效率方面可达到的成效。

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