宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的200 V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，它具备超低的导通电阻和极小型化等优势。

EPC公司宣布推出200 V、25 mΩ、80 A_Pulsed的耐辐射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm²，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm²)。与商用eGaN FET和IC系列相同，采用芯片级封装。 封装器件将由EPC Space提供。

eGaN^®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能，从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

EPC2012采用符合RoHS(有害物质限制)条例的无铅封装，以增强其高频开关性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。

EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在较低栅极电压时，其性能得以全面增强，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。