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宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。
EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅极电压为5V。EPC2015是一种40 VDS器件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比，这两种eGaN FET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻，体积比相同电阻的硅器件更小，并且具有卓越许多倍的开关性能。
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