48V Automotive Demos

48 V车载功率研讨会

48V Automotive

通过AEC Q101分立器件应力测试认证的器件

器件型号 配置 VDS Max
RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
典型值
(nC)
QGS
典型值
(nC)
QGD
典型值
(nC)
QOSS
典型值
(nC)
最大脉冲峰值电流 ID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
半桥式开发板
EPC2216 GaN FET
EPC2216 单路 15 26 0.87 0.21 0.13 0.53 28 BGA 0.85 x 1.2 立即购买
EPC2206 GaN FET
EPC2206 单路 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 立即购买
EPC2202 GaN FET
EPC2202 单路 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 立即购买
EPC2214 GaN FET
EPC2214 单路 80 20 1.8 0.5 0.3 8 47 BGA 1.35 x 1.35 立即购买
EPC2203 GaN FET
EPC2203 单路 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 立即购买
EPC2212 GaN FET
EPC2212 单路 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 立即购买

氮化镓器件的可靠性

在前十份报告 [1-10]中发布的、不断增长的知识基础上,第十一阶段产品可靠性测试报告进一步描述几个关键的全新题目。从2010年3月[11]量产以来,氮化镓(GaN)功率器件建立及累积了卓越的现场可靠性测试记录。本文讨论如何实现这个良好记录的策略,是在各种测试条件下,采用失效性测试器件(test-to-fail)的方法,反复对器件进行应力测试,从而找出器件的失效原因,并且为业界构建更坚固的产品。

宜普电源转换公司 的Alejandro Pozo博士、Shengke Zhang博士、Ricardo Garcia、John Glaser博士及Robert Strittmatter博士

第十一阶段产品可靠性测试报告

Phase 11 reliability