Lidar Demos

激光雷达/ 飞行时间（ToF）研讨会

Lidar Time of Flight

Lidar参考设计

器件型号 描述 VBUS
最大值 		VINPUT
最大值 		TPin
最小值 		Max Pulse (A) 氮化镓器件型号 原理图 Gerber 物料清单
（BOM）
EPC9144 大脉冲电流的激光二极管驱动器的演示电路板 12 5 1 ns 28 EPC2216
EPC9126 大脉冲电流的激光二极管驱动器的演示电路板 80 5 6 ns 75 EPC2212
EPC9126HC 大脉冲电流的激光二极管驱动器的演示电路板 80 5 6 ns 150 EPC2001C
供应商 器件型号 描述 脉冲最大值 脉冲宽度 特色eGaN产品 供应商的链接
德州仪器公司LMG1020EVM-006面向激光雷达的评估模块401 ns - 2 nsEPC2019LMG1020EVM-006
德州仪器公司TIDA-01573面向激光雷达应用的纳秒激光驱动器参考设计601 nsEPC2019TIDA-01573

面向Lidar设计的推荐器件

器件型号 配置 VDS RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 5 V) 最大值 		QG
(nC)
典型值 		QGS
(nC)
典型值 		QGD
(nC)
典型值 		QOSS
(nC)
典型值 		最大脉冲峰值电流 ID(A)
(25°C、 Tpulse = 300µs) 		封装
(mm) 		半桥式开发板
EPC2216 单路 15 26 0.87 0.21 0.13 0.53 28 BGA 0.85 x 1.2 N/A
EPC2040 单路 15 30 0.745 0.23 0.14 0.42 28 BGA 0.85 x 1.2 N/A
EPC2015C 单路 40 4 8.7 2.7 1.2 19 235 LGA 4.1 x 1.6 EPC9201
EPC2014C 单路 40 16 2 0.70 0.30 4 60 LGA 1.7 x 1.1 EPC9005C
EPC8004 单路 40 110 0.37 0.120 0.047 0.63 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9066
EPC2035 单路 60 45 0.88 0.3 0.2 3 24 BGA 0.9 x 0.9 EPC9049
EPC8009 单路 65 130 0.37 0.120 0.055 0.94 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9067
EPC2202 单路(AEC-Q101) 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2214 单路 (AEC-Q101) 80 20 1.8 0.5 0.3 8 47 BGA 1.35 x 1.35 N/A
EPC2039 单路 80 25 2.4 0.76 0.42 7.6 50 BGA 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2203 单路(AEC-Q101) 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 N/A
EPC2053 单路 100 3.8 12 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093
EPC2045 单路 100 7 5.2 1.7 1.1 21 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078
EPC2001C 单路 100 7 7.5 2.4 1.2 31 150 LGA 4.1 x 1.6 EPC9002C
EPC2212 单路(AEC-Q101) 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2052 单路 100 13.5 3.6 1.5 0.5 13 74 BGA 1.5 x 1.5 EPC9092
EPC2016C 单路 100 16 3.4 1.1 0.55 16 75 LGA 2.1 x 1.6 EPC9010C
EPC2051 单路 100 25 1.8 0.6 0.3 7.2 37 BGA 1.3 x 0.85 EPC9091
EPC2007C 单路 100 30 1.6 0.6 0.3 8.3 40 LGA 1.7 x 1.1 EPC9006C
EPC2036 单路 100 65 0.7 0.17 0.14 3.9 18 BGA 0.9 x 0.9 EPC9050
EPC8010 单路 100 160 0.36 0.130 0.060 2.2 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9068
EPC2037 单路 100 550 0.115 0.032 0.025 0.6 2.4 BGA 0.9 x 0.9 EPC9051
EPC2038 单路 100 3300 0.044 0.020 0.004 0.134 0.5 BGA 0.9 x 0.9 EPC9507

氮化镓器件的可靠性

在前十份报告 [1-10]中发布的、不断增长的知识基础上，第十一阶段产品可靠性测试报告进一步描述几个关键的全新题目。从2010年3月[11]量产以来，氮化镓（GaN）功率器件建立及累积了卓越的现场可靠性测试记录。本文讨论如何实现这个良好记录的策略，是在各种测试条件下，采用失效性测试器件（test-to-fail）的方法，反复对器件进行应力测试，从而找出器件的失效原因，并且为业界构建更坚固的产品。

宜普电源转换公司 的Alejandro Pozo博士、Shengke Zhang博士、Ricardo Garcia、John Glaser博士及Robert Strittmatter博士

第十一阶段产品可靠性测试报告

Phase 11 reliability
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