包絡線追跡

包絡線追跡（ET：Envelope Tracking）

Envelope Tracking Applications

エンベロープトラッキングは、今日の固定電力システムに対立するものとして、電力需要の追跡によって、RFパワーアンプのエネルギー効率を改善するための電源技術です。

窒化ガリウムのパワートランジスタは、スイッチングの遷移速度がサブナノ秒の領域であるため、エンベロープトラッキングコンバータや広帯域RFパワーアンプの両方の設計に対する実現技術の一つとみられています。eGaN® FETの超高速スイッチング能力によって、エンベロープトラッキングで使われる高周波のマルチフェーズ方式バックコンバータが可能になります。

アプリケーションの概要：包絡線追跡用eGaN FET

eGaN FETs for Envelope Tracking

eGaN FETベースの包絡線追跡の参考資料

包絡線追跡用リファレンス・デザイン

  型番 構成 VIN VOUT lOUT
(A)		 搭載製品  
EPC9130 Demonstration Board
 TIDA-01634 高速DC / DCコンバータ向けの数MHzのGaNパワー段リファレンス・デザイン 0 - 60 10 EPC8009 購入

包絡線追跡設計向け推奨デバイス

型番 構成 VDS 最大 RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V) 		QGの
標準値
(nC) 		QGSの
標準値
(nC) 		QGDの
標準値
(nC) 		QOSSの
標準値
(nC) 		パルスIDの
最大ピーク値 (A)
(25°C, Tpulse = 300µs) 		パッケージ
(mm) 		ハーフブリッジ開発基板
EPC2015C シングル 40 4 8.7 2.7 1.2 19 235 LGA 4.1 x 1.6 EPC9201
EPC2014C シングル 40 16 2 0.70 0.30 4 60 LGA 1.7 x 1.1 EPC9005C
EPC8009 シングル 65 130 0.37 0.120 0.055 0.94 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9067
EPC8002 シングル 65 480 0.133 0.057 0.015 0.334 2 LGA 2.1 x 0.85 EPC9022
EPC8010 シングル 100 160 0.36 0.130 0.060 2.2 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9068

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