包絡線追跡（ET：Envelope Tracking）

Envelope Tracking Applications

エンベロープトラッキングは、今日の固定電力システムに対立するものとして、電力需要の追跡によって、RFパワーアンプのエネルギー効率を改善するための電源技術です。

窒化ガリウムのパワートランジスタは、スイッチングの遷移速度がサブナノ秒の領域であるため、エンベロープトラッキングコンバータや広帯域RFパワーアンプの両方の設計に対する実現技術の一つとみられています。eGaN^® FETの超高速スイッチング能力によって、エンベロープトラッキングで使われる高周波のマルチフェーズ方式バックコンバータが可能になります。

アプリケーションの概要：包絡線追跡用eGaN FET

eGaN FETs for Envelope Tracking

eGaN FETベースの包絡線追跡の参考資料

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包絡線追跡用リファレンス・デザイン

	型番	構成	V_IN	V_OUT	l_OUT (A)	搭載製品
	TIDA-01634	高速DC / DCコンバータ向けの数MHzのGaNパワー段リファレンス・デザイン	0 - 60		10	EPC8009	購入

包絡線追跡設計向け推奨デバイス

型番	構成	V_DS	最大 R_DS(ON) (mΩ) (V_GS = 5 V)	Q_Gの標準値 (nC)	Q_GSの標準値 (nC)	Q_GDの標準値 (nC)	Q_OSSの標準値 (nC)	パルスI_Dの最大ピーク値 (A) (25°C, Tpulse = 300µs)	パッケージ (mm)	ハーフブリッジ開発基板
EPC2015C	シングル	40	4	8.7	2.7	1.2	19	235	LGA 4.1 x 1.6	EPC9201
EPC2014C	シングル	40	16	2	0.70	0.30	4	60	LGA 1.7 x 1.1	EPC9005C
EPC8009	シングル	65	130	0.37	0.120	0.055	0.94	7.5	LGA 2.1 x 0.85	EPC9067
EPC8002	シングル	65	480	0.133	0.057	0.015	0.334	2	LGA 2.1 x 0.85	EPC9022
EPC8010	シングル	100	160	0.36	0.130	0.060	2.2	7.5	LGA 2.1 x 0.85	EPC9068

購入

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