イベント

Motor & Drive Systems Conference

2023年2月1日 - 2023年2月2日
Motor & Drive Systems Conference
場所: 米国フロリダ州オーランド

モーター駆動用途向けGaNインバータの実験的な評価と最適化 講演者:Federico Unnia, Application Engineer, Motor Drives and Systems

この論文では、モーター駆動用途向けインバータにおける窒化ガリウム・トランジスタの利用について説明します。この論文の目的は、モーター駆動ハードウエア設計者に、部品数を最小限に抑え、GaNインバータのレイアウトを最適化する方法についてのガイドラインを提供することです。同時に、良好なスイッチング波形を維持し、電磁干渉雑音の発生源となる可能性のあるリンギングを最小化します。

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ISSCC 2023

2023年2月19日 - 2023年2月23日
ISSCC 2023
場所: 米国カリフォルニア州サンフランシスコ

GaNからのチャンス、および自動車におけるGaNのチャンス講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)、CEO(最高経営責任者)で共同創立者、Efficient Power Conversion Corp.

最近、大量採用の転換点を越えた2つの技術は、電気自動車と窒化ガリウムのパワー半導体です。どちらの技術も、お互いの未来への経路に大きな影響を与えます。GaNは、シリコンを上回る性能と低コストでの製造が可能な優れたパワー半導体であることが実証されています。自動車の電動化は、エネルギー効率を改善するまったく新しいチャンスを可能にし、ヘッドランプ、Lidar(光による検出と距離の測定)センサー、48 Vの電力分配システムなどの自動車用途でのGaNの採用は、従来の内燃機関(ICE)、マイルドハイブリッド・システム(HEV)、バッテリー、すなわち電気自動車(BEV)によって推進される自動車の安全性と効率の両方に貢献します。この講演では、自動車へのGaNの採用から得られる利点、GaNトランジスタの技術的進展、GaN集積回路、低電圧GaN技術に基づく電気自動車の牽引駆動用の新しい回路構成など、将来の採用の軌跡について説明します。

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Power Electronics International Conference

2023年4月18日 - 2023年4月19日
Power Electronics International Conference
場所: ベルギーのブリュッセル

パワー・エレクトロニクスに革命を起こすGaN集積回路 講演者:Marco Palma、モーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタ

窒化ガリウム技術に基づく最新のePower™集積回路は、DC-DCコンバータや、産業用ドローン、電動自転車、電動キックボード、電動工具のモーター駆動などのパワー・エレクトロニクス用途に革命をもたらしています。窒化ガリウム技術は、パワー・エレクトロニクスの世界に新しい時代を切り開きました。これは、GaNとシリコンの間の明確な差異化要因によるものです:中電圧の窒化ガリウム・デバイスは、シリコン・デバイスの桁違いの費用がかかるプレーナ技術上に構築することができます。シリコン・デバイスは縦型技術で作られているため、同じチップに2個のパワー・デバイスを集積することは物理的に不可能です。EPCのGaNオン・シリコンのプレーナ技術によって、制御部を備えたパワー部分を同じチップに集積することができます。2014年、EPCは、ワン・チップ上に複数のFETで構成した集積化デバイスのファミリーを製品化し、パワー・システム・オン・チップに向けた取り組みを始めました。これらの集積回路を使った実際のアプリケーションの実用的な例を、Power Electronics International Conferenceで示します。

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EEHE 2023

2023年6月13日 - 2023年6月15日
EEHE 2023
場所: Essen, Germany

High Power-Density, Bi-Directional, 48 V to 12 V Converter using eGaN® FETs for next generation BEV’s Speaker: : Michael de Rooij, Ph.D., Vice President of Applications Engineering

This work presents a high power-density LLC based system that addresses size, with a 23 mm x 18 mm x 10 mm volume, weighs just 15 grams and can deliver up to 750 W power for 12 V systems, with unrestricted voltage range from 11.0 V through 14.3 V, operating from a 48 V bus, with range of 36 V through 52 V.

Power Steering Application using eGaN Integrated Circuit Speaker: Marco Palma, Director of Motor Drive Systems and Applications

In motor drive applications, GaN inverters allow the increase of the PWM frequency and the drastic reduction of dead times, allowing the removal of bulky electrolytic capacitors and the reduction of overall solution dimensions. These benefits result in a reduction in size, weight, and material cost, over equivalent MOSFET-based designs. This work presents recent developments in employing GaN integrated circuit devices in a multiple-three-phase motor power steering application that requires 48V or 24V nominal voltage and up to 10 ARMS in each stator phase winding.

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