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make it into a 400x300 image similar to the below images. 講演者：Alex Lidow（アレックス・リドウ）、Ph.D、CEO（最高経営責任者）で共同創立者、EPC

GaNオン・シリコンは、13年以上の大量生産の後、40 Vから650 Vの範囲の電圧において、成熟したシリコンMOSFETの後継として、広く受け入れられるようになりました。このとき、GaNパワー・デバイスの成長率を制御する変数は何でしょうか。宇宙、自動車、企業のコンピューティング、民生用電子機器といった製品などの市場において、DC-DC変換から、モーター駆動やLidar（光による検出と距離の測定）に至るまでのアプリケーションにおけるGaNの最近の動向だけでなく、パワーMOSFETから学んだ経験と教訓を掘り下げます。

パネル・ディスカッション：SiCおよびGaNのパワー・デバイスの信頼性と品質 パネリスト：Doug Bailey、米Power Integrationsのマーケティングとアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント；Anup Bhalla、米Qorvoのパワー・デバイス部門チーフ・エンジニア；Thierry Bouchet、仏Wise IntegrationのCEO；Alex Lidow、Efficient Power ConversionのCEO；Guy Moxey、米ウルフスピードのパワー・プロダクツ部門シニア・ディレクタ

WBG半導体は、パワー・システムの性能向上と、部品コストの削減に貢献してきました。 10億分の1レベルの故障率は、より厳しい基準のある市場で競争するために必要です。このパネル・ディスカッションでは、SiCやGaNのようなWBG半導体が直面する主な信頼性の問題と、いくつかのミッション・クリティカルなアプリケーションにおける高性能設計のそれに対応する品質基準について説明します。各パネリストは、材料の品質、熱管理、大出力動作、認定試験、長期間の性能などの側面を取り上げます。

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GaNの台頭 講演者：Alex Lidow（アレックス・リドウ）Ph.D..、CEO（最高経営責任者）で共同創立者、EPC

最新の窒化ガリウム技術は、ドローン、電動自転車、電動キックボード、電動工具のモーター駆動などのパワー・マネージメント（電源管理）用途、およびDC-DCコンバータや太陽光発電用途に革命をもたらしています。パワー・エレクトロニクスは、ほぼ40年間 MOSFETに支配されており、2000年までに、MOSFETは理論上の性能限界に達し、その進歩は、価格に重点を置くことで減速しています。シリコン・デバイスは、縦型技術で作られているため、同じチップに2つのパワー・デバイスを集積することは物理的に不可能です。対照的に、GaNオン・シリコンのプレーナ技術は、パワー領域とコントロールを同じチップに集積することを可能にし、前任者である成熟したMOSFETよりも、はるかに優れた桁違いの高性能で、大幅な性能向上の機会が得られます。これによって、ユーザーは、コストを大幅に削減し、効率を改善し、製品のサイズを小型化し、新しい機能を提供し、競合他社に対して市場シェアを獲得することができました。

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故障するまでテストするという手法を使って、GaNデバイスが太陽光発電用途で25年以上動作するかどうかを予測する 講演者：Shengke Zhang、Ph.D.

最新のソーラー・パネルには、より高い電力密度とより長い動作寿命が求められています。パワー・オプティマイザやマイクロインバータなどの太陽光発電用途は、増え続ける多くの太陽光発電ユーザーにとって一般的な傾向となっており、低電圧GaNパワー・デバイス（VDS＜200 V）が広く使われています。高電力密度を同じ形状に統合し、寿命を延ばすことが、市場での採用にとって重要な課題となっています。GaNのパワー・トランジスタと集積回路は、太陽光発電システムを、より小型、より低温、より高効率、より信頼性の高いものにするソリューションを提供します。

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熱解析によるGaN FETのスイッチング・レッグの最適なデッドタイムの選択 著者：Salvatore Musumeci、Fausto Stella、Vincenzo Barba、Marco Palma

窒化ガリウム（GaN）・デバイスでは、デッドタイムを正しく選択することが重要であり、パワー・エレクトロニクス・システムの全体的な性能、効率、信頼性に大きな影響を与えます。デッドタイムの選択が正しくないと、電力損失の増加、効率の低下、デバイスの動作温度の上昇など、さまざまな問題が発生する可能性があります。この論文では、ハードスイッチング・コンバータに採用されているGaNデバイスの動作温度に対するデッドタイムの影響を調査します。最も高温のスイッチの動作温度を最小限に抑えるためのデッドタイムを選択する測定方法が提案されています。デバイス電流の関数としての最適なデッドタイムは、実験的に導き出されます。取得したデータは、最適な熱導出デッドタイムと測定されたデバイスのスイッチング異常を比較することによって事前に検討します。

メーカーからのLTspiceデータまたはデータシートに基づくeGaN HEMTの正確に解析したパラメータ化可能なMatlabモデルと、最適設計でのそのアプリケーション 著者：Timothe Delaforge、Marco Palma、Michael De Rooij

この論文では、Matlabで実装された窒化ガリウムの高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）の正確でパラメータ化可能な解析モデリングについて説明します。この提案されたモデルは、GaN HEMTの内部波形とコンバータ波形の両方の等価電気回路の時間分解能に基づいています。このモデルは、パラメータ化可能で、損失に対する各設計パラメータの影響を迅速かつ正確に評価できます。GaN HEMTの物理パラメータは、サプライヤのLTspiceモデルから直接提供されるか、データシートから適合させることができます。このモデルは、オリジナルのLTspiceモデルと同じくらい正確で、パワー・エレクトロニクス・コンバータの自動設計システムに統合できます。

チュートリアル：DCDCやモーター駆動の用途向けのGaN FETとGaN集積回路 講演者：Marco Palma、Michael De Rooij、Ph.D.

窒化ガリウム（GaN）のパワー半導体は、多くのパワー・エレクトロニクス用途での採用が増えています。最近、GaNデバイスは、MOSFETベースのインバータと比べたとき、超低可聴放射、小型、高い直流対機械効率、部品点数の削減、精度制御の向上などの驚くべき利点を備え、小型、高効率な DCDCコンバータや、BLDCモーター駆動に食い込んできました。

このチュートリアルの目的は、GaN FET、および新たに出てきたGaN集積回路の可能性を最大限に活用し、それらを高度なDCDCコンバータやBLDCモーター駆動の用途に実装できるようにするために必要なツールと理解を技術者に提供することです。このセミナーは、主な4つのセクションで構成されます；1）GaN FETの重要な際立った特性の紹介、2）GaN FETとICを使った設計の基礎、3）セクションIIで説明した技術を実証するGaNベースのDCDCおよびモーター駆動の用途例、4）最先端のGaN集積の更新です。

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