How to GaN Webinar Series

信頼性ウエビナ

なぜGaNがシリコン・パワーMOSFETよりも丈夫かを理解する

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このウエビナに参加して、GaNパワー・デバイスの信頼性に関する重要な視点と、窒化ガリウム・デバイスの故障までのテストによって、シリコン・パワーMOSFEETに匹敵する丈夫さを実証する方法を見つけてください。

以下の詳細を知るためにウエビナに参加しましょう:

  • 動的オン抵抗RDS(on)に影響を与える主要なメカニズムがどのように特定され、より丈夫な設計を実現するために使われたか。
  • データシートの安全動作領域(SOA)全体でいくつかのeGaN®製品を徹底的にテストし、その後、安全マージンを調査するために故障させる方法。
  • 壊滅的な故障の前に、どのくらいの長く、どの程度のエネルギー密度に耐えられるかを決めるために、eGaNデバイスが短絡状態で破壊されるまでテストする方法。
  • EPCが専用システムを開発して、長期的なLidarパルスのストレス条件でeGaNの信頼性をどのように評価したか。

ウエビナの全スケジュールを見るには、ここをクリック

Alex Lidow

講演者:は、Efficient Power Conversion Corporation(EPC)のCEO(最高経営責任者)で共同創立者です。EPCを設立する前は、米インターナショナル・レクティファイアー社のCEOでした。HEXFETパワーMOSFETの共同発明者である同氏は、パワー半導体技術で多くの特許を取得しており、関連するテーマについて数多くの出版物を執筆しています。最新の第3版は出版社John Wiley and Sonsから発行されています。米カリフォルニア工科大学で理学士号、米スタンフォードで博士号を取得しています。

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