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独Bodo’s Power Systemsのワイド・バンドギャップ・エキスパート・トーク:GaNセッション

独Bodo’s Power Systemsのワイド・バンドギャップ・エキスパート・トーク:GaNセッション

独Bodo’s Power Systemsが主催するGaN業界のエキスパートとのラウンド・テーブル。以下のゲストが参加します:

  1. Alex Lidow(アレックス・リドウ)、Efficient Power ConversionのCEOで共同創立者
  2. Doug Bailey、米パワー・インテグレーションズのマーケティング・アンド・アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
  3. Dilder Chowdhury、オランダNexperiaのストラテジック・マーケティング、パワーGaN技術部門ディレクタ
  4. Tom Ribarich、アイルランドNavitas Semiconductorのストラテジック・マーケティング部門シニア・ディレクタ
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GaNとSiCの次の波

GaNとSiCの次の波

窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)は、これらの材料の電子を価電子帯から伝導帯にシフトするために必要なエネルギーに基づいて、ワイド・バンドギャップ(WBG)半導体と呼ばれます。SiCは約3.2 eV、GaNは約3.4 eVですが、シリコンでは、わずか1.1 eVです。WBGの特性によって、適用可能なブレークダウン電圧が高くなり、一部のアプリケーションでは最大1700 Vに達することがあります。5月に開催された今年のデジタルのみのPCIMヨーロッパでは、いくつかの企業がGaNとSiCの最新のイノベーションを示し、WBG技術の方向性についての洞察を提供しました。

米EE Times誌の欧州版
2021年7月
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新しい放射線耐性FETで米マイクロチップ・テクノロジーとEPCの戦闘放射

新しい放射線耐性FETで米マイクロチップ・テクノロジーとEPCの戦闘放射

宇宙用途の技術は、2021年の重要な部分であり、したがって、放射線耐性のある部品がさらに前面に出てきています。最近、2つの新しいFETが登場しましたが、それらはこの宇宙に何をもたらすのか?

米オンライン・ニュースAll About Circuits
2021年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、最新の80 Vと200 V製品によって高性能eGaN FET製品ファミリーを拡張へ

Efficient Power Conversion(EPC)、最新の80 Vと200 V製品によって高性能eGaN FET製品ファミリーを拡張へ

今回の新世代のeGaN® FETは、小型なBLDCモーター駆動回路と費用対効果の高い高解像度の飛行時間ToF(Time of Flight)に対するイーモビリティ、配送、物流ロボット、ドローンの各市場の新しいニーズに対応します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月15日、「EPC2065」と「EPC2054」の製品化によって、市販品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを削減すると同時に性能を向上させたと発表しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けの放射線耐性を強化したエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)のトランジスタと集積回路の新しいファミリーを製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けの放射線耐性を強化したエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)のトランジスタと集積回路の新しいファミリーを製品化

Efficient Power Conversion (EPC) は、要求が厳しい宇宙船や、その他の高信頼性環境での電力変換ソリューション向けに、放射線耐性(耐放射線性)を強化した窒化ガリウム(GaN)製品の新しいファミリーを製品化しました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月8日、放射線耐性を強化した窒化ガリウムのトランジスタと集積回路の新しいファミリーの製品化を発表しました。GaN ベースのパワー・デバイスは、より高いブレークダウン強度、より高速なスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、シリコン・ベースのデバイスを大幅に凌駕します。抵抗とゲート電荷が小さいため、電源のスイッチング周波数を高くできるので、厳しい宇宙船ミッション向けのより高い電力密度、より高い効率、より小型軽量な回路を実現できます。窒化ガリウムは、本質的に放射線耐性があるので、GaN ベースのデバイスは、宇宙用途向けの信頼性が高く高性能なパワー・トランジスタの選択肢になります。

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Efficient Power Conversion(EPC)、大量アプリケーションにおいてeGaN FETとICを使う高電力密度ソリューションを展示へ、APEC 2021のバーチャル会議+展示会で

Efficient Power Conversion(EPC)、大量アプリケーションにおいてeGaN FETとICを使う高電力密度ソリューションを展示へ、APEC 2021のバーチャル会議+展示会で

Efficient Power Conversion(EPC)は、最新のエンハンスメント・ モード窒化ガリウム・ ベースの FETとICを展示し、GaN 技術の優れた性能が、高電力密度コンピューティング、自動車、イーモビリティ、ロボットへの電力供給をどのように変革しているかを示します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月3日、EPC のチームが、6 月 14 ~ 17 日に開催される パワー・エレクトロニクスので、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、および出展者ウエビナを実施すると発表しました。さらに、このイベントのバーチャル展示会に参加し、eGaN技術を素早く採用しているユーザーの最終製品に使われている最新のeGaN® FETとICを展示します。

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バッテリー駆動のモーター駆動用途向け1.5 kWのGaN インバータ

バッテリー駆動のモーター駆動用途向け1.5 kWのGaN インバータ

GaNトランジスタとIC は、モーター駆動用途の電力密度を高められます。最適なレイアウト手法によって、レッグ・シャントや同相シャントのいずれかから、リンギングのない出力スイッチング波形ときれいな電流再構成信号が得られます。

独Bodo’s Power Systems
2021年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、1 kWで48 V入力、12 V出力のLLC電力変換デモ・ボードを発売、最高クラスの電力密度1226 W / 立方インチを実現可能

Efficient Power Conversion(EPC)、1 kWで48 V入力、12 V出力のLLC電力変換デモ・ボードを発売、最高クラスの電力密度1226 W / 立方インチを実現可能

EPC9149は、1/8ブリック・サイズで1/4ブリックの電力を供給し、1 MHzでスイッチングするeGaN® FETを使って、優れた電力密度を実現し、1 kWの電力を供給します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月25日、変換比4対1の直流変圧器として動作する1 kW対応の48 V入力、12 V出力のLLCコンバータ「EPC9149」を発売しました。このデモ・ボードは、GaN FET である100 VのEPC2218と40 VのEPC2024を搭載しています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)FETを搭載したスケーラブルな1.5 kWで48 V / 12 VのDC-DCデモ・ボードを製品化、より高効率、小型、高速の双方向コンバータ向け

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)FETを搭載したスケーラブルな1.5 kWで48 V / 12 VのDC-DCデモ・ボードを製品化、より高効率、小型、高速の双方向コンバータ向け

EPC9137は、48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータで、マイルドハイブリッド車やバッテリー電源バックアップ・ユニット向けの小型なソリューション・サイズで、1.5 kWを供給でき、効率97%が得られます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月11日、非常に小さな実装面積で、効率97%で動作する1.5 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9137」を製品化しました。このデモ・ボードの設計は、スケーラブルです。つまり、2つのコンバータを並列接続して3 kWにしたり、3つのコンバータを並列にして4.5 kWにしたりすることができます。この基板は、100 VのeGaN® FETであるEPC2206を4個搭載しており、米マイクロチップ・テクノロジーの16ビット・デジタル・コントローラdsPIC33CK256MP503を搭載したモジュールによって制御されます。

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製品のまとめ:GaNパワー半導体が牽引力を獲得

(Image: Yole)

製品のまとめ:GaNパワー半導体が牽引力を獲得

GaNパワー半導体のメーカーは、パワー・エレクトロニクス機器の展示会PCIM Europeで、100 V~650 Vのデバイスの最新製品を展示しました。PCIM Europeでは、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などのワイド・バンドギャップ(WGG)半導体の利点と使用例についていくつかのプレゼンテーションを実施しました。EPC、米GaN Systems、独インフィニオン テクノロジーズ、オランダのNexperia、スイスのSTマイクロエレクトロニクスなどのメーカーは、今週、GaNパワー半導体のいくつかの新しいファミリーを発表しました。

米オンライン・ニュースElectronic Products
2021年5月
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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)の集積化パワース段を搭載した400 Wのモーター駆動用デモ・ボードを製品化、より高効率、より静かで、より小さなモーターを利用可能

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)の集積化パワース段を搭載した400 Wのモーター駆動用デモ・ボードを製品化、より高効率、より静かで、より小さなモーターを利用可能

ePower™ StageのEPC2152は、デモ・ボードEPC9146で実証されているように、高性能で低コストのBLDCモーターを利用した高性能で小型のソリューションを可能にします。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月4日、400 Wのモーター駆動用デモ・ボード「EPC9146」を製品化しました。この電源基板EPC9146は、3つの独立に制御できるハーフブリッジ回路を備え、ゲート・ドライバが集積されたモノリシックePower™ StageのEPC2152を搭載し、最大デバイス電圧は80 V、最大出力電流は15 A(10 ARMS)です。インバータ基板の面積は、わずか81 mm✕75 mmで、出力電力400 Wで効率98.4%以上が得られます。

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極端なGaN:eGaN FETがデータシートの制限をはるかに超える電圧レベルと電流レベルに曝されたときに何が起こるか

極端なGaN:eGaN FETがデータシートの制限をはるかに超える電圧レベルと電流レベルに曝されたときに何が起こるか

最近、Efficient Power Conversion(EPC)は、eGaN® FETをデータシートの制限を超える一連のテストを実施し、さまざまな過大ストレス電圧と過大ストレス電流の影響を定量化しました。この結果はここで初めて公開されます。

独Bodo’s Power Systemss
2021年5月
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Efficient Power Conversion(EPC)、PCIM Europe 2021 Digital Days で、ユーザーの量産アプリケーションに搭載した高電力密度のeGaN FETとICを展示へ

Efficient Power Conversion(EPC)、PCIM Europe 2021 Digital Days で、ユーザーの量産アプリケーションに搭載した高電力密度のeGaN FETとICを展示へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、欧州のパワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2021 Digital Daysで、同社の最新のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのFETとICを紹介し、GaN技術の優れた性能が自動車、コンピューティング、ロボットの電力供給をどのように変革しているかを示します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月13日、5月3日~7日に開催される欧州のパワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2021 Digital Daysで、当社のチームが、2件の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、出展者ウエビナを計画し、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関するパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。この展示会のバーチャル展示会にも参加し、eGaN®技術を素早く採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを展示します。

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GaN FETの使用は、シリコンFETの使用と同じくらい簡単です:48 Vシステムの例

GaN FETの使用は、シリコンFETの使用と同じくらい簡単です:48 Vシステムの例

この記事では、BOM(部品表)の部品点数が少なく、設計者がシリコンFETを使うときと同じ簡単な方法で同期整流型バック(降圧型)・コンバータを設計できるようにし、48 Vのパワー・システムで優れた性能を実現できるGaN FET互換のアナログ・コントローラを紹介します。

米Power Electronics News誌
2021年4月
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バッテリー駆動のモーター駆動用途向けGaNのePower Stage ICベースのインバータ

バッテリー駆動のモーター駆動用途向けGaNのePower Stage ICベースのインバータ

GaNトランジスタとICは、入力フィルタの電解コンデンサを排除できるので、モーター駆動用途の電力密度を高めることができます。GaNの優れたスイッチング動作は、デッドタイムを取り除き、不整合な正弦波の電圧波形と電流波形が供給されても、よりスムーズで静かな動作を実現することに役立ちます。

独Bodo’s Power Systems
2021年4月
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Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICが2020年の半導体製品(アナログ)部門でElektra Award 2020を受賞したと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICが2020年の半導体製品(アナログ)部門でElektra Award 2020を受賞したと発表

Efficient Power Conversion(EPC)は、ePower™StageICのEPC2152が2020年のElektra Award for Semiconductor Product of the Year(Analogue)を受賞したと発表しました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月30日、当社のePower™ StageのEPC2152 集積回路(IC)が、Semiconductor Product of the Yearのアナログ部門でElektra Award 2020を受賞したと発表しました。この受賞は、3月25日に、英Electronics Weekly誌が主催するバーチャル授賞式で発表されました。これらの権威ある年次賞は、優れた性能、革新性、および世界の電子産業への貢献に対して、企業や個人を表彰するために19年以上にわたって実施されています。審査は、業界の専門家からなる独立した偏りのない、多様で知識豊富なパネルによって行われます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、拡張現実向けに最適化されたデバイスを備えたeToFレーザー・ドライバICの製品ファミリーを拡張へ

Efficient Power Conversion(EPC)、拡張現実向けに最適化されたデバイスを備えたeToFレーザー・ドライバICの製品ファミリーを拡張へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、ロボット、ドローン、3次元センシング、ゲーム、自動運転車などの飛行時間(ToF)型Lidar(光による検出と距離の測定)アプリケーション向けに、より高性能でより小さなソリューション・サイズを実現できる新しい窒化ガリウム(GaN)集積回路(IC)の製品ファミリーを拡張したと発表しました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月23日、ロボット、ドローン、拡張現実、ゲームのアプリケーションで使われる飛行時間(ToF:time-of-flight)型Lidar(光による検出と距離の測定)システム向けに、ゲート・ドライバと、低電圧差動信号(LVDS)論理レベル入力を備えた40 V、10 AのFETを集積したワン・チップのレーザー・ドライバを製品化しました。

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窒化ガリウム(GaN)集積回路による電力変換の再定義

窒化ガリウム(GaN)集積回路による電力変換の再定義

GaN技術は急速に発展しており、新世代のより高効率、より小型、より低コストの集積回路のプラットフォームとなる新世代のディスクリート・デバイスが頻繁に製品化されています。GaN集積回路は、製品をより小さく、より速く、より高効率にし、設計を容易にします。

米Power Systems Design誌
2021年3月(36ページ)
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GaN集積回路が電力変換をどのように再定義しているか

GaN集積回路が電力変換をどのように再定義しているか

窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、10年以上生産されており、性能とコストの改善だけでなく、GaN技術が電力変換市場に影響を与える最も重要なことは、同じ基板上に複数のデバイスを集積できる固有の属性にあります。これによって、モノリシック電源システムを単一チップ上において、より簡単、より高効率、かつ、より費用対効果の高い方法で設計できるようになります。

米Power Electronics News誌
2021年1月
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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FETを使ったLidarデモ・ボードを製品化、レーザーをパルス幅3 ns以下、最大電流220 Aで駆動可能

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FETを使ったLidarデモ・ボードを製品化、レーザーをパルス幅3 ns以下、最大電流220 Aで駆動可能

EPC9150に搭載した超高速遷移eGaN® FETであるEPC2034Cは、最大220 Aの大電流パルスと3n s以下のパルス幅を可能にするので、Lidar(光による検出と距離の測定)システムは、より遠くを、より速く、より良く見えるようになります。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月16日、200 Vで大電流のパルス・レーザー・ダイオードのドライバ向けデモ・ボード「EPC9150」を製品化したと発表しました。自動運転車用途の3次元マップを作成するために使われるLidar(光による検出と距離の測定)システムでは、対象物検出の速度と精度が重要です。この基板で実証されているように、eGaN FET であるEPC2034Cの高速遷移能力は、同等のMOSFETよりも最大10倍高速に、レーザー・ダイオード、VCSEL(垂直共振器面発光レーザー)、LED(発光ダイオード)を駆動するパワー・パルスを提供し、面積、エネルギー、コストを削減できます。したがって、Lidarシステムの価格だけでなく、精度、解像度、処理速度など、全体的な性能が向上します。

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